[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其驱动方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

多个移位寄存器组、至少两个第一开关单元、至少一个第二开关单元和多条驱动信号线；每个所述移位寄存器组包括至少两级级联的移位寄存器，所述移位寄存器包括启动信号端和触发信号端；其中，每个移位寄存器组内的相邻两级移位寄存器，后一级所述移位寄存器的启动信号端与前一级移位寄存器的触发信号端电连接；

所述驱动信号线与所述移位寄存器对应电连接；

第i个所述移位寄存器组内的最后一级移位寄存器的触发信号端通过一所述第一开关单元，与第i+1个所述移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端电连接，其中，i＝1、2……N-1，i和N均为整数，所述多个移位寄存器组的个数为N，N≥3；

至少两个不相邻的移位寄存器组，前一个所述移位寄存器组内的最后一级移位寄存器的触发信号端通过一所述第二开关单元，与后一个所述移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：启动信号线，所述至少两个不相邻的移位寄存器组包括第1个移位寄存器组，所述第1个移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端与所述启动信号线电连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：启动信号线；所述至少两个不相邻的移位寄存器组包括第2个移位寄存器组，

第1个移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端通过一所述第一开关单元，与所述启动信号线电连接；

所述第2个移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端通过一所述第二开关单元，与所述启动信号线电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：控制信号线，所述第一开关单元包括第一端、第二端和控制端，所述第二开关单元包括第一端、第二端和控制端；

第i个所述移位寄存器组内的最后一级移位寄存器的触发信号端与一所述第一开关单元的第一端电连接，所述第一开关单元的第二端与第i+1个所述移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端电连接；

至少两个不相邻的移位寄存器组，前一个所述移位寄存器组内的最后一级移位寄存器的触发信号端与一所述第二开关单元的第一端电连接，所述第二开关单元的第二端与后一个所述移位寄存器组内的第一级移位寄存器的启动信号端电连接；

所述至少两个第一开关单元的控制端和所述至少一个第二开关单元的控制端均与所述控制信号线电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第一开关单元的第一端电连接，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第一开关单元的第二端电连接，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一开关单元的控制端电连接；

所述第二开关单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第一极与所述第二开关单元的第一端电连接，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述第二开关单元的第二端电连接，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二开关单元的控制端电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管；

或者，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第一开关单元的第一端电连接，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第一开关单元的第二端电连接，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一开关单元的控制端电连接；

所述第二开关单元包括第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一极与所述第二开关单元的第一端电连接，所述第三薄膜晶体管的第二极与所述第四薄膜晶体管的第一极电连接，所述第四薄膜晶体管的第二极与所述第二开关单元的第二端电连接，所述第三薄膜晶体管的栅极，以及所述第四薄膜晶体管的栅极均与所述第二开关单元的控制端电连接。