[发明专利]OLED阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910152466.6 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN110767711B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 贾智信;吕迅;赵磊;陶国胜;迟帅杰 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板,其特征在于,包括:透明显示区与非透明显示区,所述透明显示区与所述非透明显示区之间具有非直线型交界;所述透明显示区包括阵列式排布的第一OLED像素与第二OLED像素;所述第一OLED像素与所述非直线型交界相邻;
所述第一OLED像素具有第一像素驱动电路,所述第二OLED像素具有第二像素驱动电路;所述第一像素驱动电路包括第一驱动晶体管,所述第二像素驱动电路包括第二驱动晶体管;所述第一OLED像素经由第一驱动晶体管与电源线连接,所述第二OLED像素经由第二驱动晶体管与所述电源线连接;
所述第一OLED像素与所述电源线之间的电阻大于所述第二OLED像素与所述电源线之间的电阻;
所述OLED阵列基板还包括分压元件;所述分压元件串联于所述第一OLED像素与所述电源线之间;
所述分压元件为栅极与漏极短接的分压晶体管;所述分压晶体管的源极与所述电源线连接,所述分压晶体管的漏极与所述第一OLED像素连接;或者
所述分压晶体管的漏极与所述电源线连接,源极与所述第一OLED像素连接。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一OLED像素与所述第一驱动晶体管的漏极连接,所述第一驱动晶体管的源极与所述电源线连接;
所述分压元件串联于所述第一驱动晶体管的源极与所述电源线之间,或者,所述分压元件串联于所述第一OLED像素与所述第一驱动晶体管的漏极之间。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一像素驱动电路还包括第一数据存储电容;所述第一数据存储电容的第一极板与所述第一驱动晶体管的源极连接,所述第一数据存储电容的第二极板与所述第一驱动晶体管的栅极连接;
当所述分压元件串联于所述第一驱动晶体管的源极与所述电源线之间时,所述分压元件串联在所述第一极板与所述电源线之间,或者,所述分压元件串联在所述第一极板与所述第一驱动晶体管的源极之间。
4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,还包括第一连接线组与第二连接线组;所述第一连接线组包括至少两条第一连接线;所述第二连接线组包括至少两条第二连接线;
所述第一OLED像素至所述电源线之间相邻电路元件之间通过所述第一连接线连接;
所述第二OLED像素至所述电源线之间相邻电路元件之间通过所述第二连接线连接;
所述第一连接线组中所述至少两条第一连接线的电阻之和大于所述第二连接线组中所述至少两条第二连接线的电阻之和。
5.根据权利要求4所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一连接线组中至少一条第一连接线的宽度基本为第一宽度,其余所述第一连接线的宽度基本为第二宽度;
所述第二连接线组中每条所述第二连接线的宽度基本相同,且每条所述第二连接线的宽度基本为第二宽度;
所述第一宽度小于所述第二宽度。
6.根据权利要求4所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一连接线组中至少一条第一连接线的电阻率为第一电阻率,其余所述第一连接线的电阻率为第二电阻率;
所述第二连接线组中每条所述第二连接线的电阻率相同,且每条所述第二连接线的电阻率为第二电阻率;
所述第一电阻率大于所述第二电阻率。
7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板,其特征在于,电阻率为第一电阻率的所述第一连接线为掺杂的多晶硅导线;电阻率为第二电阻率的所述第一连接线以及电阻率为第二电阻率的所述第二连接线的材料为钼、铝或钛中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述多晶硅导线中掺杂的元素为硼、磷、砷中的任意一种。
9.根据权利要求7所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述多晶硅导线的掺杂浓度范围为105~1015。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的