[发明专利]GaN层叠体及其制造方法有效

申请号：	201910153241.2	申请日：	2019-02-28
公开（公告）号：	CN110219048B	公开（公告）日：	2021-10-15
发明（设计）人：	藤仓序章	申请（专利权）人：	赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
主分类号：	C30B29/40	分类号：	C30B29/40;C30B25/22
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	gan 层叠及其制造方法
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【说明书】：

本发明提供通过利用HVPE使GaN层在GaN基板上生长而得到的新型GaN层叠体及其制造方法。GaN层叠体具有：GaN基板，其由GaN单晶构成，且相对于主面最近的低指数晶面为c面；以及GaN层，其是在GaN基板的前述主面上外延生长而成的，GaN层的表面具有由宏观台阶和宏观平台交替排列而成的宏观台阶‑平台结构，宏观台阶和宏观平台中的一者具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着与m轴方向正交的方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构，宏观台阶和宏观平台中的另一者具备：由具有GaN的多个分子层以上的高度且沿着与a轴方向正交的方向延伸的台阶和平台交替排列而成的台阶‑平台结构。

技术领域

本发明涉及GaN层叠体及其制造方法。

背景技术

氮化镓(GaN)被用作用于制造发光元件、晶体管等半导体装置的材料。使GaN层在GaN基板上外延生长而成的GaN层叠体因GaN层的品质高而备受关注(关于用于生长高品质GaN层的GaN基板的利用，例如参照非专利文献1)。

例如，为了提高使用GaN层叠体制造的半导体装置的耐压，期望GaN基板上生长的GaN层的厚度为10μm以上。作为使如此厚的GaN层在GaN基板上生长的技术，本发明人提出了使用与金属有机物气相外延(MOVPE)等相比能够得到更高生长速率的氢化物气相外延(HVPE)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：大岛祐一等5人、“基于空隙形成剥离法的GaN基板”、日立电线、No.26(2007-1)、p.31-36

发明内容

发明要解决的问题

关于通过利用HVPE使GaN层在GaN基板上生长而能够获得何种GaN层叠体，大多尚属未知。

本发明的一个目的是提供通过利用HVPE使GaN层在GaN基板上生长而得到的新型GaN层叠体，另外，提供用于获得这种GaN层叠体的制造方法。