[发明专利]一种降压电路及降压方法

说明书

本发明实施例提供一种降压电路及降压方法，该降压电路包括第一降压单元、共享单元、第二降压单元，其中，第一降压单元和共享单元串联，且第一降压单元和共享单元之间并联有第一电容；第一降压单元还包括第一时钟控制单元和第一短路侦测单元，共享单元还包括第二时钟控制单元和第二短路侦测单元；第一短路侦测单元与第一时钟控制单元和第二时钟控制单元均电连接，第二短路侦测单元与第一时钟控制单元和所述第二时钟控制单元均电连接；共享单元与第二降压单元并联。本发明利用侦测和反馈网络，侦测和反馈每个MOS管的击穿情况，有效避免被损坏的MOS管对于其他元件的损害，能够有效提高整个系统的可靠性。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，特别是涉及一种降压电路及降压方法。

背景技术

随着服务器由12V系统向48V系统的转变，高压差对于电源模块的MOS管形成巨大的挑战。由于12V系统已经发展得很成熟，对于电源工程师来说，要实现12V系统向48V系统的转变，最可靠的方式是先从48V通过电源模块转化为12V,再应用已经过验证并且发展很成熟的12V系统电源模块来实现由12V向更低电压的转化。

然而发明人通过研究发现，应用传统的开关电源设计方式来设计48V向12V的转化，对于MOS管(英文：Metal Oxide Semiconductor，中文：金属氧化物半导体)的VDS电压的要求很高，并且MOS管一旦击穿，无法修复，而且同时被损坏的MOS管以外的其他元件也会因此被损害。因此，在降压电路中如何提高电路的可靠性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种降压电路及降压方法，用于解决现有技术中降压电路可靠性低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，根据本发明的第一方面，本发明实施例提供一种降压电路，该电路包括第一降压单元、共享单元、第二降压单元，其中：

所述第一降压单元和所述共享单元串联，且所述第一降压单元和所述共享单元之间并联有第一电容；

所述第一降压单元还包括第一时钟控制单元和第一短路侦测单元，所述共享单元还包括第二时钟控制单元和第二短路侦测单元；所述第一短路侦测单元与所述第一时钟控制单元和所述第二时钟控制单元均电连接，所述第二短路侦测单元与所述第一时钟控制单元和所述第二时钟控制单元均电连接；

所述共享单元与所述第二降压单元并联。

可选地，所述第一降压电路包括串联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一时钟控制单元包括第一时钟控制模块和第二时钟控制模块，所述第一短路侦测单元包括第一短路侦测模块和第二短路侦测模块，其中：

所述第一MOS管的栅极与所述第一时钟控制模块电连接，所述第一MOS管的源极和漏极之间电连接有所述第一短路侦测模块；

所述第二MOS管的栅极与所述第二时钟控制模块电连接，所述第二MOS管的源极和漏极之间电连接有所述第二短路侦测模块；

所述第一短路侦测模块与所述第二时钟控制模块电连接。

可选地，所述共享单元包括由串联的第三MOS管和第四MOS管组成的串联支路，以及与所述串联支路并联的第二电容，所述第二时钟控制单元包括第三时钟控制模块和第四时钟控制模块，所述第二短路侦测单元包括第三短路侦测模块和第三短路侦测模块，其中：

所述第三MOS管的栅极与所述第三时钟控制模块电连接，所述第三MOS管的源极和漏极之间电连接有所述第三短路侦测模块；

所述第四MOS管的栅极与所述第四时钟控制模块电连接，所述第四MOS管的源极和漏极之间电连接有所述第四短路侦测模块；