[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201910153619.9 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109904201B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 李源;李俊峰;金炳文 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和显示装置,其中阵列基板包括:驱动电源线、辅助金属层和第一电容;薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层、栅极和与有源层连接的源/漏极,第一电容的第一极板与栅极位于同一层,电容的第二极板与源/漏极位于同一层。将第一电容的第一极板与栅极设置在同一层,并且采用源/漏极所在层的金属作为第一电容的第二极板,无需单独制作的作为电容另一个极板的金属层,可以省去一层金属层,即可以省去一层掩膜。在增加辅助金属层减小电源Vdd的进线的阻抗的情况下,无需增加更多的掩膜。可以减小电源Vdd的进线压降的同时,减少掩膜的数量,从而减少生产成本,降低制作工艺的复杂程度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其因具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点,而受到人们极大的关注。
其中,有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light EmittingDiode,AMOLED)是主动发光器件,AMOLED驱动电压信号(VDD)线中,电流流经VDD线时,由于VDD线的自身电阻分压产生电源压降(IR-drop),会影响AMOLED显示屏亮度均匀性。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置,以解决现有技术中由于VDD线的自身电阻分压产生电源压降,会影响AMOLED显示屏亮度均匀性的问题。
为此,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:层叠设置的基板、薄膜晶体管层,还包括:驱动电源线、与所述驱动电源线连接的辅助导电层和与所述薄膜晶体管层同层且间隔设置的第一电容;其中,所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层、栅极和与所述有源层连接的源/漏极或依次层叠设置的栅极、有源层和与所述有源层连接的源/漏极,所述第一电容的第一极板与所述栅极位于同一层,所述电容的第二极板与所述源/漏极位于同一层。
可选地,所述驱动电源线与所述源/漏电极位于同一层。
可选地,阵列基板还包括第二电容;所述辅助导电层形成所述第二电容的第一极板,所述第二电容的第二极板为所述源漏极。
可选地,所述辅助导电层设置在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧;或,所述辅助导电层与所述栅极同层设置;或,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层与所述基板之间;或,所述栅极设置在所述有源层所在层和所述基板之间,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间。
可选地,阵列基板还包括第三电容;所述辅助导电层形成所述第二电容的第一极板,所述第二电容的第二极板与所述栅极位于同一层;优选的,所述辅助导电层设置在所述源/漏极所在层背离所述基板的一侧;或,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层与所述基板之间;或,所述栅极设置在所述有源层所在层和所述基板之间,所述辅助导电层设置在所述栅极所在层和所述源/漏极所在层之间。
可选地,阵列基板还包括:绝缘层,设置在所述辅助导电层与所述驱动电源线之间;通孔,贯穿所述绝缘层,所述辅助导电层和所述驱动电源线通过所述通孔连接。
根据第二方面,本发明实施例提供了一种阵列基板制作方法,包括:在基板上形成有源层和第一导电层,并将所述第一导电层至少图形化为所述有源层对应的第一区域和与所述第一区域间隔设置的第二区域,其中,第一区域作为栅极;形成第二导电层,图形化所述第二导电层得到源/漏极,所述源/漏极在所述基板上的正投影与所述第二区域在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述源/漏极层与所述第二区域构成第一电容;形成驱动电源线并形成与所述驱动电源线连接且位于不同层的辅助导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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