[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第二区域分别位于所述第三区域两侧，且所述第三区域两侧分别与第一区域和第二区域相邻，所述第一区域上具有第一鳍部，所述第二区域上具有第二鳍部，所述第三区域上具有第三鳍部，所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，所述衬底上具有隔离层，所述隔离层还位于所述第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面，且所述隔离层表面低于所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面；

位于所述第一鳍部上的第一外延层；

位于所述第二鳍部上的第二外延层；

位于所述第三鳍部上的第三外延层，所述第三外延层的两侧分别与第一外延层和第二外延层相接触；

位于所述第一外延层、第二外延层和第三外延层上的导电结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：横跨所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的伪栅极结构，且所述伪栅极结构位于第一鳍部的部分侧壁和顶部表面、第二鳍部的部分侧壁和顶部表面和第三鳍部的部分侧壁和顶部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部的数量为大于等于1个；所述第二鳍部的数量为大于等于1个；所述第三鳍部的数量为大于等于1个。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层材料包括磷硅，所述第二外延层材料包括硅锗；所述第三外延层的材料为第一外延层和第二外延层材料中的任一种或两种的组合。

5.一种形成如权利要求1至4任一项半导体结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第二区域位于所述第三区域两侧，且所述第三区域与第一区域和第二区域相邻，所述第一区域上具有第一鳍部，所述第二区域上具有第二鳍部，所述第三区域上具有第三鳍部，所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，所述衬底上和第一鳍部、第二鳍部及第三鳍部侧壁表面具有隔离层，所述隔离层表面低于所述鳍部的顶部表面；

在所述第一鳍部上形成第一外延层；

在所述第二鳍部上形成第二外延层；

在所述第三鳍部上形成第三外延层，所述第三外延层的两侧分别与第一外延层和第二外延层相接触；

在所述第一外延层、第二外延层和第三外延层上形成导电结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一外延层的方法包括：在所述隔离层、第二鳍部和第三鳍部上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，在第一鳍部内形成第一开口；在所述第一开口内进行选择性外延生长形成第一外延层。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一外延层的方法包括：在所述隔离层、第二鳍部和第三鳍部上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，在第一鳍部内形成第一开口；在所述第一开口内进行选择性外延生长形成第一外延层。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三外延层与所述第一外延层同时形成；或者，所述第三外延层与所述第二外延层同时形成；部分所述第三外延层与所述第一外延层同时形成，且另一部分所述第三外延层与所述第二外延层同时形成。

9.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一外延层、第二外延层和第三外延层上形成导电结构之前，在所述第一外延层、第二外延层和第三外延层表面形成停止层；在所述停止层上形成层间介质层；所述停止层的材料包括氮化硅；所述层间介质层的材料包括氧化硅。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述层间介质层之后，去除所述伪栅极结构，在所述层间介质层内形成栅极开口；在所述栅极开口内形成栅极结构。