[发明专利]一种用于单晶高温合金低扩散单相铂铝涂层的制备方法

权利要求书

1.一种用于单晶高温合金低扩散单相铂铝涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)表面处理方法：对基体进行预磨、喷砂处理，之后用碱洗及超声处理方法除油；

(2)处理后的基体进行Ni-Re电镀：电镀液为硫酸镍、氯化钠、硼酸、硫酸钠、高铼酸钾、十二烷基硫酸钠配制的水溶液，pH值维持在4～5.5之间，将配好的溶液在水浴40～65℃，电流密度为1～5A/dm²，以纯镍板为阳极进行电镀，电镀Ni-Re层厚度为2～10μm；

(3)在制备好的Ni-Re镀层上进行镀铂：采用碱性镀铂工艺，镀铂时pH值维持在7～11之间，电镀时温度控制在60～90℃；电流密度范围为为1～5A/dm²，以纯铂或镀铂钛网为阳极进行电镀，镀Pt层厚度为3～8μm；

(4)将电镀后的镀层在真空退火炉中进行退火：真空退火炉内气压小于6×10^-3Pa，退火时升温速率在10℃/min以下；退火过程中先在400～700℃保持2～4h以去除镀层残留的氢气，防止鼓包现象发生；除氢后继续加热至1000～1100℃保温1～4h，炉冷至室温；

(5)经过扩散退火后，采用化学气相沉积或非接触气相法渗铝，获得含有Re阻扩散障的低扩散NiRePtAl涂层；

该制备方法获得低扩散单相NiRePtAl涂层，涂层分为三部分，外层为单相β-(Ni,Pt)Al涂层，中间层为Re阻扩散层，内层为互扩散区，其中：Re阻扩散层富集在单相β-(Ni,Pt)Al涂层与互扩散区界面处，互扩散区富集在单晶基体界面处。

2.按照权利要求1所述的用于单晶高温合金低扩散单相铂铝涂层的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，基体为Ni基单晶高温合金，包括：二、三代镍基单晶或单晶金属间化合物。

3.按照权利要求1所述的用于单晶高温合金低扩散单相铂铝涂层的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，电镀液的成分含量范围如下：硫酸镍100～300g/L，氯化钠10～30g/L，硼酸20～40g/L，硫酸钠20～100g/L，高铼酸钾3～30g/L，十二烷基硫酸钠0.05～0.2g/L，余量为水。

4.按照权利要求1所述的用于单晶高温合金低扩散单相铂铝涂层的制备方法，其特征在于，单相β-(Ni,Pt)Al涂层的厚度范围为20～30μm，中间层为Re阻扩散层的厚度范围为5～10μm，内层为互扩散区的厚度范围为10～30μm。