[发明专利]量子点层及其制备方法有效
| 申请号： | 201910154969.7 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109705853B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李文渊 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点层的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成六方结构的二氧化硅模板中间相，所述二氧化硅模板中间相形成有从侧壁向内部延伸的孔洞；
在惰性环境中，向所述孔洞脉冲交替通入量子点反应源气体和还原性气体，同时煅烧去除模板，获得具有六方孔道结构的多孔二氧化硅框架以及填充在孔道的量子点，形成量子点层；
其中，所述煅烧的温度为300℃-600℃，形成的所述量子点包括网状连接的硅锗纳米颗粒复合材料和/或硅锗纳米线复合材料；
在所述衬底上形成六方结构的二氧化硅模板中间相的步骤，具体为：
形成胶束棒，在所述胶束棒的表面开设向内部延伸的孔洞，将所述胶束棒在所述衬底上按六角形排列，形成二氧化硅模板中间相；
其中，向所述孔洞脉冲交替通入量子点反应源气体和还原性气体的步骤，包括：
将所述量子点反应源气体通入所述孔洞，通入时间为0.02s-0.07s，停留时间为0.03s-0.08s，吹扫时间为5s-15s；
将所述还原性气体通入所述孔洞，通入时间为5s-15s，停留时间为20s-30s，吹扫时间为20s-30s。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，脉冲交替的循环次数为450次-800次。
3.根据权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述量子点反应源气体包括硅源气体、锗源气体中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述还原性气体包括氢气。
5.根据权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，所述孔道的直径大小为1nm-7nm，所述孔道的壁厚为1nm-2nm。
6.一种量子点层的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成六方结构的二氧化硅模板中间相，所述二氧化硅模板中间相形成有从侧壁向内部延伸的孔洞；
在惰性环境中，向所述孔洞脉冲交替通入量子点反应源气体和还原性气体，同时煅烧去除模板，获得具有六方孔道结构的多孔二氧化硅框架以及填充在孔道的量子点，形成量子点层；
其中，在所述衬底上形成六方结构的二氧化硅模板中间相的步骤，具体为：
形成胶束棒，在所述胶束棒的表面开设向内部延伸的孔洞，将所述胶束棒在所述衬底上按六角形排列，形成二氧化硅模板中间相；
其中，将所述量子点反应源气体通入所述孔洞，通入时间为0.02s-0.07s，停留时间为0.03s-0.08s，吹扫时间为5s-15s；将所述还原性气体通入所述孔洞，通入时间为5s-15s，停留时间为20s-30s，吹扫时间为20s-30s；脉冲交替的循环次数为450次-800次；
所述量子点反应源气体包括硅源气体、锗源气体中的至少一种；所述还原性气体包括氢气；
所述孔道的直径大小为1nm-7nm，所述孔道的壁厚为1nm-2nm；
其中，所述煅烧的温度为300℃-600℃，形成的所述量子点包括网状连接的硅锗纳米颗粒复合材料和/或硅锗纳米线复合材料。
7.一种量子点层，其特征在于，所述量子点层由如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备获得。
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