[发明专利]SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法

说明书

本发明涉及SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法。本发明的目的在于提供强度和耐磨损性优良的SiC构件的制造方法。其包括：通过化学气相沉积(CVD)法形成由β‑SiC构成的SiC构件(10)的CVD工序步骤1；和在非活性气氛下在高于2000℃且2200℃以下的温度下对SiC构件(10)进行热处理而使β‑SiC局部地转化为α‑SiC的热处理工序步骤2。

技术领域

本发明涉及SiC构件和由其构成的基板保持构件以及它们的制造方法。

背景技术

由SiC烧结体构成的SiC构件具有高刚性和高耐磨损性。因此，以往一直进行的是，使在半导体制造工艺的各种处理时用于保持晶片等基板的真空夹头等基材保持构件由SiC构件构成(例如参见专利文献1)。

在专利文献2中公开了：通过CVD法在由α-SiC烧结体构成的基板的表面形成多晶体的β-SiC层后，在1850℃～2000℃进行热处理，由此，使β-SiC转化为α-SiC。通过热处理，从α-SiC与β-SiC的界面开始进行从β-SiC向α-SiC的转化，大部分β-SiC转化为α-SiC，可以得到结晶组织一致化的SiC构件。

在专利文献3中公开了：通过适当地调节原料气体的供给方法和温度，得到由沿与基材垂直的方向生长的β-SiC的柱状晶体和沿与基材平行的方向生长的α-SiC的微晶构成的高纯度CVD-SiC质的半导体热处理用构件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-302397号公报

专利文献2：日本专利第3154053号公报

专利文献3：日本专利第3524679号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在专利文献2记载的结构中，大部分β-SiC转化为α-SiC，因此，与α-SiC相比致密且高强度并且具有高耐磨损性的β-SiC几乎不存在，强度和耐磨损性不充分。

另一方面，在专利文献3记载的结构中，由于β-SiC的柱状晶体与α-SiC的微晶的各向异性，在为了在表面形成管脚等而进行切削研磨加工等的情况下，在晶体间产生残余应力，难以以高的尺寸精度进行加工，并且，由于取向性等的影响，长期使用时，有时尺寸精度劣化。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供强度和耐磨损性优良的SiC构件及其制造方法。本发明的目的还在于提供能够实现提高加工精度和长期维持加工精度的基板保持构件及其制造方法。

用于解决问题的方法

本发明的SiC构件的制造方法的特征在于，包括：通过化学气相沉积(CVD)法形成由β-SiC构成的SiC构件的工序；和在非活性气氛下在高于2000℃且2200℃以下的温度下对上述SiC构件进行热处理而使上述β-SiC局部地相变为α-SiC的工序。

根据本发明的SiC构件的制造方法，SiC构件只是由β-SiC构成的部分局部地相变为α-SiC，因此，β-SiC所具有的高致密、高强度、高耐磨损性等优良的特性保留。

本发明的基板保持构件的制造方法是使用上述本发明的SiC构件来制造保持基板的基板保持构件的方法，其特征在于，具备：将上述SiC构件的表面局部地除去而在低于上述表面的位置形成主面并且形成从上述主面突出的多个凸部的工序；和按照使上述多个凸部的前端面从上述主面突出相同高度并且位于同一水平面的方式加工至平坦的工序。