[发明专利]用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2 有效
| 申请号： | 201910155516.6 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110357143B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王冬;唐明聪;孙墨杰;王世杰;张庭 | 申请（专利权）人： | 东北电力大学 |
| 主分类号： | C01G5/00 | 分类号： | C01G5/00;C01G39/06;G01N27/12 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 白冬冬 |
| 地址： | 132012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 hg 传感器 敏感 材料 mos base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种用于Hg(0)传感器的敏感材料MoS2-Ag2S，其特征在于：取70 mL去离子水；准确称取4mmol硝酸银，1mmol钼酸铵，4mmol六次甲基四胺，9mmol硫化钠；在搅拌状态下分别将称量的药品逐一溶解；在完全溶解后搅拌10 min，然后移入100 mL反应釜中，水热200℃，保持12h；将反应釜在高压状态下自然冷却至室温，然后将黑色产物分别用去离子水和乙醇离心洗涤3次；将洗涤后收集的黑色产物在真空干燥箱中干燥24h，真空干燥箱温度设为60℃，其中得到的MoS2-Ag2S为层状纳米花材料；
用上述敏感材料MoS2-Ag2S制作的气体传感器：
①以Al2O3陶瓷管为衬底，陶瓷管两段各有一个圆环状的金电极，每个金电极均有两根铂丝做引线；
②将一制得的MoS2-Ag2S层状纳米花材料用玛瑙研钵研细，滴入几滴去离子水调成糊状,然后用细毛刷涂抹在陶瓷管的外表面,涂层厚度尽量均匀,除引线外，陶瓷管的外表面及环状金电极完全被MoS2-Ag2S层状纳米花材料覆盖；
③陶瓷管自然或在红外灯下阴干,把镍铬合金加热丝从陶瓷管内部穿入,最后将引脚焊接在器件管座上，得到Hg(0)传感器。
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