[发明专利]多个像素的相互作用特征

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收对在光子检测器像素阵列内发生的相互作用的多个响应，其中所述光子检测器像素阵列包括多个像素；

识别所述多个像素中的与所述相互作用相关联的子集，其中所述多个像素的所述子集的每一个像素对应于所述多个响应中的至少一个；并且

根据所述多个响应来确定所述相互作用的特征，其中所述特征包括以下中的至少一个：所述相互作用的时间、位置和能量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个像素包括中心像素和多个相邻像素，其中所述中心像素包括具有对所述相互作用的最高幅度响应的像素。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征包括所述相互作用的能量，其中确定所述相互作用的能量包括将所述多个响应相加。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述相互作用与入射光子或粒子相关联。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个像素的每个响应包括正极性峰值信号幅度和负极性峰值信号幅度中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述特征包括所述相互作用的位置，所述相互作用的位置包括所述相互作用的深度，其中确定所述相互作用的深度包括识别所述多个响应的峰值信号幅度的多维聚类。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述特征包括所述相互作用的时间，其中确定所述相互作用的时间包括确定所述相互作用的深度、确定所述多个响应的时间以及确定所述多个像素提供所述多个响应所需要的时间间隔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征包括所述相互作用的位置，并且其中确定所述位置包括通过识别所述中心像素的相互作用响应量和至少一个相邻像素的相互作用响应量来确定所述相互作用的子像素位置。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个响应不对应于来自所述光子检测器像素阵列的阴极的响应。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光子检测器像素阵列包括选自由以下组成的组的像素化半导体检测器阵列：CdZnTe、CdTe、HgI、Si和直接转换材料。

11.一种装置，包括：

光子检测器像素阵列，包括多个像素；

处理器，有效耦合到所述光子检测器像素阵列；

存储指令的存储器设备，所述指令能够由所述处理器执行以：

接收对在所述光子检测器像素阵列内发生的相互作用的多个响应；

识别所述多个像素中的与所述相互作用相关联的子集，其中所述多个像素的所述子集的每一个像素对应于所述多个响应中的至少一个；并且

根据所述多个响应来确定所述相互作用的特征，其中所述特征包括以下中的至少一个：所述相互作用的时间、位置和能量。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述多个像素包括中心像素和多个相邻像素，其中所述中心像素包括具有对所述相互作用的最高幅度响应的像素。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述特征包括所述相互作用的能量，其中确定所述相互作用的能量包括将所述多个响应相加。

14.根据权利要求11所述的装置，其中所述相互作用与入射光子或粒子相关联。

15.根据权利要求11所述的装置，其中所述多个像素的每个响应包括正极性峰值信号幅度和负极性峰值信号幅度中的至少一个。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述特征包括所述相互作用的位置，所述相互作用的位置包括所述相互作用的深度，其中确定所述相互作用的深度包括识别所述多个响应的峰值信号幅度的多维聚类。