[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接，所述第二区包括第二槽区，第二槽区与第一区邻接；

在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；

在第二区的第一掩膜层中形成分割掺杂层，所述分割掺杂层在第二方向上分割第二槽区的第一掩膜层；

在第一区的第一掩膜层中形成第一槽；

在第一槽中形成分割填充层，所述分割填充层在第二方向上分割第一槽，第二方向与第一方向垂直；

形成分割填充层之后，在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；

在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之后，刻蚀去除分割掺杂层两侧第二槽区的第一掩膜层，在第二区的第一掩膜层中形成第二槽，分割掺杂层在第二方向上分割第二槽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述分割填充层的方法包括：在第一掩膜层上和第一槽部分区域中形成阻挡层，所述阻挡层中具有位于第一槽部分区域上的阻挡开口，所述阻挡开口和第一槽贯通，所述阻挡开口还在第一方向延伸至第二区上；在所述阻挡开口和阻挡开口暴露出的第一槽中形成分割填充膜；去除高于第一掩膜层顶部表面的分割填充膜，形成所述分割填充层；去除高于第一掩膜层顶部表面的分割填充膜后，去除阻挡层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括含碳有机聚合物。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层的方法包括：在第一掩膜层上和第一槽中形成第一平坦膜；在第一平坦膜上形成第一底部抗反射层；在第一底部抗反射层上形成图形化的第一光刻胶层，第一光刻胶层中具有第一光刻开口，第一光刻开口位于第一槽部分区域上，第一光刻开口还在第一方向延伸至第二区上；以第一光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一光刻开口底部的第一底部抗反射层和第一平坦膜，使第一平坦膜形成所述阻挡层；刻蚀去除第一光刻开口底部的第一底部抗反射层和第一平坦膜后，去除第一光刻胶层和第一底部抗反射层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述分割填充层的材料包括SiO₂、SiN、TiO₂、TiN、AlN或Al₂O₃。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述分割填充层在第一方向上的尺寸为10纳米～60纳米；所述分割填充层在第二方向上的尺寸为10纳米～40纳米。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述分割掺杂层之后，形成第一槽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第一槽之后，形成所述分割掺杂层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述分割掺杂层的方法包括：在第一掩膜层上、第一槽中和第一槽上形成第二平坦层；在第二平坦层上形成第二底部抗反射层；在第二底部抗反射层上形成图形化的第二光刻胶层，第二光刻胶层中具有第二光刻开口，第二光刻开口位于第一槽沿第一方向侧部的第二区上，第二光刻开口还延伸至第一槽的部分区域上；以第二光刻胶层为掩膜刻蚀第二光刻开口底部的第二底部抗反射层和第二平坦层直至暴露出第一掩膜层的顶部表面，第一槽中填充有第二平坦层；以第二光刻胶层和第二平坦层为掩膜，在第二光刻开口底部的第一掩膜层中注入掺杂离子，在第二区的第一掩膜层中形成分割掺杂层；在第二光刻开口底部的第一掩膜层注入掺杂离子后，去除第二平坦层、第二底部抗反射层和第二光刻胶层。

10.根据权利要求1或9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子包括硼离子或砷离子。