[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干个相互分立的第一区，若干个第一区沿第一方向排布，所述第一区的待刻蚀层表面具有第一掩膜层；

在各个所述第一区的第一掩膜层内形成至少一个第一开口；

在所述第一开口的侧壁形成侧墙；

形成所述侧墙之后，在所述第一开口内形成填充层，所述填充层充满第一开口；

形成所述填充层之后，去除所述第一开口侧壁的侧墙，在所述第一区的填充层与第一掩膜层之间形成第二开口；

以所述填充层和第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二开口底部的待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成第一分割槽，所述第一分割槽在第二方向上分割第一区的第一掩膜层，所述第二方向与第一方向垂直。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，沿第一方向，所述第一开口的尺寸为：60纳米～500纳米；沿第二方向，所述第一开口的尺寸为：20纳米～200纳米。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面、以及第一掩膜层表面形成侧墙膜；去除所述第一开口底部表面和第一掩膜层表面的侧墙膜，在所述第一开口侧壁形成侧墙。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙膜的材料包括：SiO₂、SiN、TiO₂、TiN或Al₂O₃。

5.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙膜的形成工艺包括原子层沉积工艺。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为：10纳米～30纳米。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料包括：纳米钛酸锂。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一区还包括第一槽区；所述形成方法还包括：在所述第一槽区内的第一掩膜层内形成第一槽；去除所述第一槽底部的待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成第一目标槽；在所述第一目标槽内形成第一导电层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层还包括若干个相互分立的第二区；所述形成方法还包括：在各个所述第二区的第一掩膜层内形成至少一个第三开口；形成所述侧墙时，所述侧墙充满第三开口。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口侧壁的侧墙时，还包括：去除第三开口的侧墙；去除第三开口的侧墙之后，以所述填充层和第一掩膜层为掩膜，刻蚀第三开口底部的待刻蚀层，在所述待刻蚀层内形成第二分割槽，所述第二分割槽在第二方向上切断第二区的第一掩膜层。

11.如权利要求10述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一分割槽内形成第一分割结构；在所述第二分割槽内形成第二分割结构。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一分割结构的材料为绝缘材料；所述第二分割结构的材料为绝缘材料。

13.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一分割槽沿平行于第一方向具有第一中心线；所述第二分割槽沿平行于第一方向具有第二中心线；相邻第一中心线之间的距离小于相邻第二中心线的距离。

14.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，沿第一方向，所述第三开口的尺寸为：60纳米～500纳米；沿第二方向，所述第三开口的尺寸为：20纳米～60纳米。