[发明专利]图案化半导体装置的方法在审

申请号：	201910156440.9	申请日：	2019-03-01
公开（公告）号：	CN110610898A	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	王伟任;潘兴强;张竞予;蔡万霖;许仲豪;李资良	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/8234
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;TW
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摘要：
搜索关键词：	遮罩层蚀刻图案化下方层除渣制程开口半导体装置侧壁表面上表面移除与非遮罩保留
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【说明书】：

本发明实施例提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成第一遮罩层于下方层上；图案化第一遮罩层以形成第一开口；形成非顺应膜于第一遮罩层上，其中形成于第一遮罩层的上表面上的非顺应膜的第一厚度，大于形成于第一遮罩层的侧壁表面上的非顺应膜的第二厚度；进行除渣制程，其中除渣制程移除第一开口中的非顺应膜的部分；以及采用图案化的第一遮罩层与非顺应膜的保留部分作为蚀刻遮罩，并蚀刻下方层。

技术领域

本发明实施例关于图案化半导体装置的方法，更特别关于形成非顺应膜于图案化的遮罩层上。

背景技术

半导体装置用于多种电子应用如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备中。半导体装置的制作方法通常为按序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用光刻与蚀刻制程图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于半导体基板上。

半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，可将更多构件整合至给定面积。然而随着最小结构尺寸缩小，每一制程中也产生需解决的额外问题

发明内容

本发明一实施例提供图案化半导体装置的方法，包括：形成第一遮罩层于下方层上；图案化第一遮罩层以形成第一开口；形成非顺应膜于第一遮罩层上，其中形成于第一遮罩层的上表面上的非顺应膜的第一厚度，大于形成于第一遮罩层的侧壁表面上的非顺应膜的第二厚度；进行除渣制程，其中除渣制程移除第一开口中的非顺应膜的部分；以及采用图案化的第一遮罩层与非顺应膜的保留部分作为蚀刻遮罩，并蚀刻下方层。

附图说明

图1与图2是一些实施例中，制作半导体装置的多种中间阶段的剖视图。

图3是一些实施例中，沉积腔室的附图。

图4是一些实施例中，用于沉积腔室的控制单元的附图。

图5A至图5C是一些实施例中，制作半导体装置的多种中间阶段的剖视图。

图6至图17是一些实施例中，制作半导体装置的多种中间阶段的剖视图。

其中，附图标记说明如下：

D1 深度

H2、H3 高度

T1、T1’ 顶部厚度

T2、T2’ 侧壁厚度

T3 沟槽厚度