[发明专利]一种功率半导体器件在审
| 申请号： | 201910156443.2 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109786472A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李述洲;晋虎;孙永生;高良 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 405200*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 功率半导体器件 肖特基势垒层 衬底 大电流冲击 反向漏电流 电流浪涌 峰值电场 使用寿命 金属层 导通 堆叠 正向 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；
所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：所述第一掺杂层、所述栅极以及所述第二掺杂层的表面所在的平面共面。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于：所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型不同。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于：所述第一掺杂层为P型掺杂，所述第二掺杂层为N型掺杂；或者，所述第一掺杂层为N型掺杂，所述第二掺杂层为P型掺杂。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于：所述N型掺杂的掺杂离子包含P、As或Sb中的至少一种。
6.根据权利要求4或者5任一项所述的功率半导体器件，其特征在于：所述P型掺杂的掺杂离子包含B、BF2或Al中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：定义垂直于所述第二掺杂层所在平面的方向为第一方向，所述第二掺杂层在所述第一方向上的长度为0.7至2.5微米。
8.根据权利要求1或7任一项所述的功率半导体器件，其特征在于：定义平行于所述第二掺杂层所在平面的方向为第二方向，所述第二掺杂层在所述第二方向上的长度为0.5至2微米。
9.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：所述第一掺杂层的掺杂浓度为1e15cm-3至1e16cm-3。
10.根据权利要求1或者9所述的功率半导体器件，其特征在于：所述第二掺杂层的掺杂浓度为1e16cm-3至1e21cm-3。
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