[发明专利]倒T型隧穿场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 201910156471.4 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN109904218B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 韩茹;张海潮;王党辉;安建峰;黄小平;张萌;陈超 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 金凤
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 型隧穿 场效应 晶体管
【权利要求书】:

1.一种倒T型隧穿场效应晶体管,其特征在于:

所述的倒T型隧穿场效应晶体管,包含SOI晶圆的硅衬底,SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层,SOI晶圆的衬底绝缘层上方为重掺杂源区、两个单晶硅薄膜和两个重掺杂漏区,其中重掺杂源区位于衬底绝缘层上方正中间,两个单晶硅薄膜均为L型,位于重掺杂源区的两侧,且相互对称,两个重掺杂漏区分别位于单晶硅薄膜的L型底部且紧贴SOI晶圆的衬底绝缘层的横向边的外沿,且位于衬底绝缘层的上方;两个单晶硅薄膜L型纵向边的两侧分别有一个栅极绝缘层,栅极绝缘层分别被L形单晶硅薄膜两面环绕;栅极绝缘层纵向边的两侧分别有绝缘介质阻挡层,绝缘介质阻挡层分别位于两个L形单晶硅薄膜横向边的上方,且分别与栅极绝缘层接触;栅极绝缘层纵向边的两侧且绝缘介质阻挡层的上方为栅极,两个栅极分别位于两侧绝缘介质阻挡层之上且分别与两侧栅极绝缘层接触;栅电极位于栅极上方;源电极位于重掺杂源区上方;漏电极位于重掺杂漏区上方。

2.根据权利要求1所述的一种倒T型隧穿场效应晶体管,其特征在于:

所述单晶硅薄膜为进行N型轻掺杂,且掺杂浓度为不高于1*10^16/cm^3的单晶硅半导体材料。

3.根据权利要求1所述的一种倒T型隧穿场效应晶体管,其特征在于:

所述重掺杂源区为掺杂浓度不低于1*10^20/cm^3的P型掺杂。

4.根据权利要求1所述的一种倒T型隧穿场效应晶体管,其特征在于:

所述重掺杂漏区为掺杂浓度不低于1*10^19/cm^3的N型掺杂。

5.根据权利要求1所述的一种倒T型隧穿场效应晶体管,其特征在于:

所述栅极绝缘层厚度为0.4nm—1.8nm,栅极绝缘层为高介电常数的物质,采用二氧化铪、四氮化三硅或三氧化二铝中三种物质之一。

6.根据权利要求1所述的一种倒T型隧穿场效应晶体管,其特征在于:

所述的绝缘介质阻挡层的介电常数低于栅极绝缘层的介电常数,绝缘介质阻挡层材料采用二氧化硅或氮化硅两种物质之一。

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