[发明专利]一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪在审
| 申请号： | 201910157476.9 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109737944A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张彪;李晓宇 | 申请（专利权）人： | 成都因赛泰科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01C19/5755 | 分类号： | G01C19/5755;G01C19/5733 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 质量块 蓄热器 磁传感器 衬底 驱动单元 嵌入式 陀螺仪 磁源 检测 导线安装 通电导线 焦耳热 上端 形变 温漂 噪声 测量 | ||
1.一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：包括质量块（100）、驱动单元和检测单元，所述驱动单元是位于质量块（100）的X方向，所述检测单元包括蓄热器（104）、导线（112）和磁传感器（114），所述质量块（100）位于衬底（106）上方，所述蓄热器（104）安装在质量块（100）上且位于质量块（100）底部，所述导线（112）安装在蓄热器（104）内，所述磁传感器（114）安装在衬底（106）上且位于衬底（106）上端。
2.根据权利要求1所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的蓄热器（104）与质量块（100）连接处有一层隔热层（102），所述隔热层（102）可由隔热材料组成，本发明中的一个特例为TeGeSb。
3.根据权利要求1所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的蓄热器（104）的底部有一层保护层（108），所述保护层（108）可由陶瓷材料组成，本发明中的一个特例为TiWN2。
4.根据权利要求1所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的磁传感器（114）是磁电阻传感器，所述磁电阻传感器的检测具有方向性。
5.根据权利要求1或4所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的磁传感器（114）为Hall传感器、AMR磁传感器、GMR磁传感器、TMR磁传感器或者是将Hall传感器、AMR磁传感器、GMR磁传感器和TMR磁传感器进行组合形成的传感器组。
6.根据权利要求1所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的衬底（106）的长度方向与质量块（100）的长度方向平行，所述磁传感器（114）的长度方向与衬底（106）平行。
7.根据权利要求1所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的导线（112）中心与磁传感器（114）的中心对齐。
8.根据权利要求1所述的一种具有嵌入式磁源的MEMS陀螺仪，其特征在于：所述的驱动单元采用静电驱动的驱动方式。
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