[发明专利]带凹陷结构和凸结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极，设置在基底上方；

顶电极，具有电极连接部；和

压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，

其中：

所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；

所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘；且

所述顶电极的端部设置有附加结构，所述附加结构具有内边界与外边界，所述附加结构为由凸起部形成的凸结构或者由邻接设置的处于外侧的凸起部和处于内侧的下凹部组成的凸凹结构。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述附加结构的内边界重合，或者所述凹陷结构的内缘位于所述附加结构的内边界的外侧。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘或外缘与所述声学镜的边缘重合，或者所述声学镜的边缘位于所述凹陷结构的内缘与外缘之间，或者所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述附加结构的外边界之间，或者所述凹陷结构的内缘或外缘与所述附加结构的外边界重合，或者所述凹陷结构的内缘位于所述附加结构的内边界与外边界之间。

4.根据权利要求1所述谐振器，其中：

在垂直投影中，所述附加结构的内边界位于所述凹陷结构的内缘与外缘之间，或者所述凹陷结构的外缘与所述附加结构的内边界重合，或者所述凹陷结构的外缘位于所述附加结构的内边界的内侧。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X不大于10μm。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X为：0μm≤X≤1μm，或者2.5μm≤X≤4.5μm，或者6μm≤X≤8μm。

7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构设置在压电层的上侧，或下侧，或上下侧之间，或者在谐振器的厚度方向上贯穿压电层。

8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构包括一个凹陷。

9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：

所述凹陷为阶梯凹陷。

10.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构具有至少两个凹陷。

11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：

所述至少两个凹陷在径向方向上彼此间隔开。

12.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述底电极的边缘内侧。

13.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述声学镜的边缘内侧。

14.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述电极连接部形成有桥部，所述附加结构设置在所述桥部与所述顶电极的边缘之间；且

所述凹陷结构为环形凹陷结构。

15.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述附加结构为环形结构。