[发明专利]压电层带凹陷结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极，设置在基底上方；

顶电极，具有电极连接部；和

压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，

其中：

所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；

所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘，且在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合或者在所述顶电极的边缘的外侧。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述声学镜的边缘重合；或者

在垂直投影中，所述声学镜的边缘位于所述凹陷结构之内,或者所述凹陷结构的外缘与所述声学镜的边缘重合；或者

在垂直投影中，所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述顶电极的边缘之间，或者所述凹陷结构的内缘与所述顶电极的边缘重合。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X不大于10μm。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘与所述顶电极边缘之间的径向距离X为：0μm≤X≤1μm，或者3μm≤X≤4μm,或者6μm≤X≤8μm。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构内填充有填充材料。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

所述填充材料选自如下材料：单晶硅，多晶硅，二氧化硅，氮化硅，碳化硅，掺杂氮化铝及金属氧化物。

7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构设置在压电层的上侧，或下侧，或上下侧之间，或者在谐振器的厚度方向上贯穿压电层。

8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构包括一个凹陷。

9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：

所述凹陷为阶梯凹陷。

10.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构具有至少两个凹陷。

11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：

所述至少两个凹陷在径向方向上彼此间隔开。

12.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述底电极的边缘内侧。

13.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在垂直投影中，所述凹陷结构的外缘位于所述声学镜的边缘内侧。

14.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述电极连接部形成有桥部；且

所述凹陷结构为环形凹陷结构。

15.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

凹陷结构的宽度的取值范围为0.5μm-4μm，或者为并联谐振频率处S1模式兰姆波波长的四分之一或其奇数倍；且

凹陷结构的深度范围为0.02μm-0.5μm，或为所在压电层厚度的5％-100％。

16.根据权利要求15所述的谐振器，其中：

凹陷结构的深度范围为所在压电层厚度的10％-40％。

17.一种滤波器，包括根据权利要求1-16中任一项所述的体声波谐振器。

18.一种电子设备，包括根据权利要求17所述的滤波器或者根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器。