[发明专利]释放孔位于封装空间内的MEMS器件的封装

权利要求书

1.一种MEMS器件组件，包括：

MEMS器件，包括空气隙结构；和

封装薄膜，形成封闭所述MEMS器件的封装空间，

其中：

所述MEMS器件设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔，所述第一释放孔位于所述封装空间内；

所述封装薄膜设置有第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料；且

在垂直投影中，至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距小于20um；

所述MEMS器件组件包括密封层，所述密封层至少部分覆盖所述封装薄膜，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料。

2.根据权利要求1所述的组件，其中：

在垂直投影中，所述第二释放孔与对应的第一释放孔重合。

3.根据权利要求1所述的组件，其中：

在垂直投影中，所述第二释放孔与对应的第一释放孔部分重合。

4.根据权利要求1所述的组件，其中：

在垂直投影中，每一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距在小于20um的范围内。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的组件，其中：

所述MEMS器件包括体声波谐振器。

6.根据权利要求5所述的组件，其中：

所述MEMS器件包括薄膜体声波谐振器。

7.根据权利要求5所述的组件，其中：

所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极，所述封装薄膜覆盖体声波谐振器，所述组件包括至少部分覆盖所述封装薄膜的密封层，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料；且

密封层的材料与顶电极的材料相同，且封装薄膜的材料与压电层的材料相同。

8.根据权利要求7所述的组件，其中：

所述密封层的材料选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝；

所述封装薄膜的材料选自如下材料之一：硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管、TOK DFR材料。

9.一种电子器件，包括多个根据权利要求1-8中任一项所述的MEMS器件组件。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中：

至少两个MEMS器件组件具有共用的第一释放孔。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中：

由一层封装薄膜形成的一个封装空间内封装有至少两个MEMS器件。

12.根据权利要求9所述的电子器件，其中：

所述电子器件包括至少两个封装空间，每一个封装空间由一层封装薄膜形成，且至少一个封装空间内封装有至少两个MEMS器件。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的电子器件，其中：

所述电子器件包括滤波器。

14.一种电子设备，包括根据权利要求9-13中任一项所述的电子器件或者根据权利要求1-7中任一项所述的MEMS器件组件。

15.一种MEMS器件的封装方法，所述MEMS器件包括空气隙结构，且设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔，所述方法包括步骤：

利用封装薄膜形成封闭所述MEMS器件的封装空间，所述第一释放孔位于所述封装空间内；

在所述封装薄膜上开设与所述封装空间相通的第二释放孔，使得至少一个第二释放孔的位置设置成在垂直投影中，至少一个所述第二释放孔与对应的第一释放孔之间的水平间距在小于20um的范围内；和

密封所述第二释放孔。