[发明专利]释放孔位于封装空间外的MEMS器件的封装

权利要求书

1.一种MEMS器件组件，包括：

MEMS器件，包括空气隙结构；和

封装薄膜，形成封闭所述MEMS器件的封装空间，

其中：

所述MEMS器件设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔；且

所述第一释放孔位于所述封装空间的外侧。

2.根据权利要求1所述的组件，其中：

所述封装薄膜设置有第二释放孔，第二释放孔中填充有密封材料。

3.根据权利要求1或2所述的组件，其中：

所述封装薄膜覆盖并密封所述第一释放孔。

4.根据权利要求2所述的组件，其中：

所述封装薄膜设置有多个第二释放孔。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的组件，其中：

所述MEMS器件包括体声波谐振器。

6.根据权利要求5所述的组件，其中：

所述MEMS器件包括薄膜体声波谐振器。

7.根据权利要求5或6所述的组件，其中：

所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极，所述封装薄膜覆盖体声波谐振器，所述组件包括至少部分覆盖所述封装薄膜的密封层，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料；且

密封层的材料与顶电极的材料相同，且封装薄膜的材料与压电层的材料相同。

8.根据权利要求7所述的组件，其中：

所述密封层的材料选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝；

所述封装薄膜的材料选自如下材料之一：硅、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、金属、光刻胶、高分子聚合物、石墨烯、纳米管、TOK DFR材料。

9.一种电子器件，包括多个根据权利要求1-8中任一项所述的MEMS器件组件。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中：

至少两个MEMS器件组件具有共用的第一释放孔。

11.根据权利要求9所述的电子器件，其中：

由一层封装薄膜形成的一个封装空间内封装有至少两个MEMS器件。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的电子器件，其中：

所述电子器件包括滤波器。

13.一种电子设备，包括根据权利要求9-12中任一项所述的电子器件或者根据权利要求1-8中任一项所述的MEMS器件组件。

14.一种MEMS器件的封装方法，所述MEMS器件包括空气隙结构，且设置有与所述空气隙结构相通的第一释放孔，所述方法包括步骤：

利用封装薄膜形成封闭所述MEMS器件的封装空间，且使得所述第一释放孔位于所述封装空间外侧；

在所述封装薄膜上开设与所述封装空间连通的至少一个第二释放孔；和

密封所述第二释放孔。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括步骤：

利用所述封装薄膜覆盖并且封住所述第一释放孔。

16.根据权利要求14所述的方法，其中：

所述空气隙结构通过释放第一牺牲层形成，所述封装空间通过释放第二牺牲层形成；且

第一牺牲层与第二牺牲层的材料相同，且选自如下材料之一：有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属、金属氧化物、光刻胶。

17.根据权利要求16所述的方法，其中：

所述MEMS器件为体声波谐振器，所述体声波谐振器包括底电极、压电层和顶电极，所述封装薄膜覆盖体声波谐振器，所述组件包括至少部分覆盖所述封装薄膜的密封层，组成所述密封层的材料构成填充所述第二释放孔的密封材料；且

密封层的材料与顶电极的材料相同，且选自如下材料之一：二氧化硅、聚合物、旋涂玻璃、塑料、树脂、介电材料、金属、氮化硅、氮化铝等材料；且

封装薄膜的材料与压电层的材料相同，且选自如下材料之一：有机材料、聚合物、硅、非晶硅、二氧化硅、PSG、金属、金属氧化物、光刻胶。