[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910158431.3 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110491938B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 木村重哉;吉田学史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，具备：
SiC层，包含第一部分区域、第二部分区域、和所述第一部分区域与所述第二部分区域之间的第三部分区域；
第一电极，与所述第一部分区域电连接，作为源电极发挥功能，从所述第一部分区域向所述第一电极的方向为第一方向；
第二电极，与所述第二部分区域电连接，作为漏电极发挥功能，从所述第二部分区域向所述第二电极的方向为所述第一方向，从所述第一电极向所述第二电极的第二方向与所述第一方向交叉；
第三电极，作为栅电极发挥功能，从所述第三部分区域向所述第三电极的方向为所述第一方向，所述第三电极在所述第二方向的位置位于所述第一电极在所述第二方向的位置与所述第二电极在所述第二方向的位置之间；
绝缘部，在所述SiC层的所述第一方向上设置；
Alx2Ga1-x2N层，设置于所述SiC层和所述绝缘部之间，其中0.2≤x21；和
Alx3Ga1-x3N层，设置于所述Alx2Ga1-x2N层和所述绝缘部之间，其中x2x3≤1，所述Alx3Ga1-x3N层的至少一部分在所述第二方向设置于所述第一电极与所述第二电极之间，所述Alx2Ga1-x2N层的至少一部分设置于所述Alx3Ga1-x3N层与所述SiC层之间，
所述Alx2Ga1-x2N层与所述SiC层以及所述Alx3Ga1-x3N层相接，
所述Alx3Ga1-x3N层与所述Alx2Ga1-x2N层以及所述绝缘部相接，
所述SiC层沿所述第一方向的第一厚度为100nm以上，
所述Alx2Ga1-x2N层的至少一部分沿所述第一方向的第二厚度为2nm以上且100nm以下，
所述Alx3Ga1-x3N层沿所述第一方向的第三厚度为3nm以上且500nm以下，并且所述第三厚度比所述第一厚度薄。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述绝缘部的一部分在所述第二方向与所述Alx2Ga1-x2N层重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述绝缘部的一部分在所述第二方向与所述SiC层重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第三电极的至少一部分在所述第二方向与所述Alx2Ga1-x2N层重叠。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述x2为0.5以上，
所述x3为0.85以上。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述Alx2Ga1-x2N层的所述SiC层侧的第一面与所述Alx2Ga1-x2N层的0001方向或者000-1方向之间的角度的绝对值为82度以上且98度以下。
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