[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201910159689.5 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN110633780B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 斋藤利忠;川村英树;近藤敦志;渡边胜好;西山拓 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 万利军;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,具备:

外壳,具有第一面、和位于该第一面的相反侧的第二面;

多个端子,在所述第一面露出且沿第一方向延伸,并且在与所述第一方向交叉的第二方向上隔开间隔地配置;

信号端子,是所述多个端子中的信号端子,具有所述第一方向上的第一端部、和第二端部,所述第二端部在所述第一方向上位于与所述第一端部相反的一侧、并且与所述第一端部相比离与主机设备的接触部接触的接触位置较近;

所述外壳内的控制器;

信号配线,在所述外壳内从所述第一端部延伸而将该第一端部与所述控制器电连接;以及

存储器,在所述外壳内与所述控制器电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,

所述信号配线具有延伸部,所述延伸部在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上与所述多个端子分离,并且在从所述第三方向观察时成为彼此相邻的多个端子之间的位置处沿所述第一方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,

具备接地层,所述接地层包括第一部位,所述第一部位介于所述延伸部与所述信号端子之间且沿所述第一方向延伸。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体存储装置,具备:

作为所述信号端子的第一信号端子;

作为所述信号端子的第二信号端子,在所述第二方向上与所述第一信号端子隔开间隙地相邻且与所述第一信号端子一起传送差动信号;

作为所述信号配线的第一信号配线,将所述第一信号端子与所述控制器电连接;以及

作为所述信号配线的第二信号配线,将所述第二信号端子与所述控制器电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,

所述第一信号配线具有第一延伸部,所述第一延伸部在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上与所述第一信号端子和所述第二信号端子分离,并且在从所述第三方向观察时成为所述第一信号端子与所述第二信号端子之间的位置处沿所述第一方向延伸,

所述第二信号配线具有第二延伸部,所述第二延伸部在所述第三方向上与所述第一信号端子和所述第二信号端子分离,并且在从所述第三方向观察时成为所述第一信号端子与所述第二信号端子之间的位置处沿所述第一方向与所述第一延伸部大致平行地延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,

具备接地层,所述接地层包括第一部位,所述第一部位介于所述第一延伸部与所述第一信号端子之间并且介于所述第二延伸部与所述第二信号端子之间、且沿所述第一方向延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置,

所述第一部位与所述第一信号端子的第一边缘部和所述第二信号端子的第二边缘部在所述第三方向上重叠,所述第一信号端子的所述第一边缘部和所述第二信号端子的所述第二边缘部是隔着间隙地在所述第二方向上彼此面对的边缘部。

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