[发明专利]一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法在审
| 申请号： | 201910159951.6 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN109870769A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 姜校顺;顾佳新;程欣宇;李冠宇;肖敏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 微盘 制备 光刻胶层 二氧化硅层 干法蚀刻 二氧化硅层表面 蚀刻 半导体工艺 沉积隔离层 隔离层表面 硅基底表面 掩模板图案 品质因子 热氧化法 硅基 刻蚀 去胶 涂覆 显影 兼容 曝光 | ||
1.一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层并退火，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；
通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为1～5μm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述隔离层为非晶硅层或氮化硅层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为50～200nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述沉积隔离层的方法为等离子气体增强化学气相沉积。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述非晶硅层进行退火处理的温度为600～800℃；
优选地，对所述非晶硅层进行退火处理的时间为4～6h；
优选地，对所述氮化硅层进行退火处理的温度为1000～1200℃；
优选地，对所述氮化硅层进行退火处理的时间为2～3h。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为约4～6μm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀二氧化硅层的方法为感应耦合等离子刻蚀。
9.根据权利要求8任一项所述的方法，其特征在于，所述感应耦合等离子刻蚀使用的气体为CF4和SF6。
10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
利用热氧化法在硅基底表面制备1～5μm厚的二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面等离子气体增强化学气相沉积50～200nm厚的隔离层，所述隔离层为非晶硅层或氮化硅层，对得到的所述隔离层进行退火处理，退火后在所述隔离层表面涂覆4～6μm厚的光刻胶层，非晶硅层进行退火处理的温度为600～800℃，时间为4～6h；对所述氮化硅层进行退火处理的温度为1000～1200℃，时间为2～3h；
通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，使用CF4和SF6感应耦合等离子刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。
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