[发明专利]扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一封装结构，所述封装结构包括重新布线层，所述重新布线层的第一面具有介质层，第二面连接有器件结构；

2)切割所述封装结构，获得独立的封装单元；

3)提供一衬底，将所述封装单元转移并固定于所述衬底上；

4)采用干法工艺去除所述介质层，以显露所述重新布线层的金属互连层；

5)去除所述衬底。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：步骤1)所述介质层包括聚合物介质层。

3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述聚合物介质层包括聚酰亚胺。

4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：步骤4)所述干法工艺包括干法刻蚀工艺、电浆去胶工艺及干法抛光工艺中的一种。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：步骤1)包括：

1-1)提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

1-2)于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层具有介质层的第一面与所述分离层连接；

1-3)于所述重新布线层的第二面形成器件结构；

1-4)基于所述分离层剥离所述重新布线层及所述支撑基底，露出所述介质层。

6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。

7.根据权利要求5所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述分离层包括光热转换层，步骤1-4)采用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述重新布线层及所述支撑基底分离，进而剥离所述封装层及所述支撑基底。

8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述重新布线层的金属互连层表面还具有种子层，步骤4)在去除所述介质层后，还包括去除所述种子层的步骤。

9.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤6)，于显露的所述金属互连层表面形成有机保焊膜。

10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤6)，采用化学镀工艺于显露的所述金属互连层表面形成金层。

11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述器件结构包括天线结构，所述天线结构包括：

金属馈线柱，采用电镀或化学镀的方法形成于所述重新布线层上；

封装层，包覆所述金属馈线柱，且其顶面显露所述金属馈线柱；

天线金属层，形成于所述封装层上，所述天线金属层与所述金属馈线柱连接。

12.根据权利要求11所述的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于：所述金属馈线柱的径向宽度介于100微米～1000微米之间。

13.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：

衬底；

封装单元，所述封装单元包括重新布线层及器件结构，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面，所述重新布线层的第一面具有介质层，所述器件结构连接于所述重新布线层的第二面，所述器件结构固定于所述衬底上。

14.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述介质层包括聚合物介质层。

15.根据权利要求14所述的扇出型封装结构，其特征在于：所述聚合物介质层包括聚酰亚胺。