[发明专利]半导体结构

说明书

一实施例为半导体结构。半导体结构包括基板。鳍状物位于基板上。鳍状物包括硅锗。界面层位于鳍状物上。界面层厚度大于0nm且小于或等于约4nm。源极/漏极区位于界面层上。源极/漏极区包含硅锗。

技术领域

本发明实施例关于形成界面层于鳍状场效晶体管的鳍状物与外延的源极/漏极区之间。

背景技术

随着半导体产业进展至纳米技术节点，以求更高的装置密度、更高效能、与更低成本时，来自制作与设计问题的挑战造成三维设计(如鳍状场效晶体管)的发展。鳍状场效晶体管通常包含高宽比高的半导体鳍状物，而通道区与源极/漏极区形成其中。沿着鳍状结构的侧壁与上侧形成(如包覆鳍状结构)的栅极，其优点为增加通道表面积，可产生更快、更可信、与更佳控制的半导体晶体管装置。然而随着尺寸缩小，此作法存在新的挑战。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体结构，包括：基板；鳍状物，位于基板上，且鳍状物包括硅锗并具有多个凹陷部分；界面层，位于鳍状物的凹陷部分上，且界面层的厚度介于约1nm至约4nm之间；以及源极/漏极区，位于界面层上，且源极/漏极区包括硅锗。

本发明一实施例提供半导体装置的形成方法，包括形成鳍状物于基板上；形成栅极结构于鳍状物上；形成凹陷于与栅极结构相邻的鳍状物中；形成界面层于凹陷中，且界面层包括硅锗；以及外延生长外延的源极/漏极区于界面层上。

本发明一实施例提供半导体结构，包括基板；鳍状物，位于基板上；第一界面层，位于鳍状物的第一部分上；第二界面层，位于鳍状物的第二部分上，且第一界面层与第二界面层的高度的变异在5nm以内；第一源极/漏极区，位于第一界面层上；以及第二源极/漏极区，位于第二界面层上。

附图说明

图1是一些实施例中，形成半导体装置如鳍状场效晶体管结构的方法的流程图。

图2A至图2B、图3A至图3C、图4A与图4B、图5A与图5B、图6A与图6B、图7A与图7B、及图8A与图8B显示一些实施例中，形成半导体装置的中间阶段中的半导体装置的个别中间结构的多种附图。

图6C与图6D是一些实施例中，鳍状物、界面层、与源极/漏极区的原子％含量的附图。

附图标记说明：

A-A、B-B 剖面

L1 第一层

L2 第二层

L3 第三层

10 方法

12、14、16、18、20 步骤

30 半导体结构

54a、54b、54c、54d、54e、54f、94、94A、94B 源极/漏极区

60 半导体基板

62 n型井

64 外延层

74 鳍状物

78 隔离区

80 介电层

82 虚置栅极层

84 遮罩

85 虚置栅极结构

86 栅极间隔物

90 凹陷

90A 第一凹陷

90B 第二凹陷

92 界面层