[发明专利]晶圆多工位边缘抛光设备在审
申请号: | 201910161384.8 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN109848826A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 潘雪明;李鑫;苏静洪 | 申请(专利权)人: | 天通日进精密技术有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;B24B47/12;B24B47/20 |
代理公司: | 上海巅石知识产权代理事务所(普通合伙) 31309 | 代理人: | 张明;王再朝 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 晶圆边缘 凹口抛光装置 边缘抛光设备 抛光装置 抛光作业 多工位 晶圆转移装置 生产效率 同一设备 作业品质 作业装置 无损伤 抛光 凹口 种晶 集合 申请 | ||
本申请公开一种晶圆多工位边缘抛光设备,至少集合了晶圆凹口抛光装置和晶圆边缘抛光装置,可利用晶圆转移装置能将晶圆快速、平稳且无损伤地在各个作业装置之间转移,不仅能使得晶圆能在同一设备中依序完成晶圆凹口抛光作业和晶圆边缘抛光作业,也能使得晶圆凹口抛光装置和晶圆边缘抛光装置同时对相应的晶圆进行相应的作业,提高生产效率及晶圆边缘抛光的作业品质。
技术领域
本申请涉及晶圆加工技术领域,特别是涉及一种晶圆多工位边缘抛光设备。
背景技术
一般,当硅结晶成很大的、在其大部分长度上为圆柱体之后,要把这种柱状结晶材料切割成很薄的、成为硅晶片的圆片,由于其形状为圆形,这样的硅晶片也可称为晶圆(Wafer)。在晶圆上可进一步加工制作成各种电路元件结构,从而成为有特定电性功能的集成电路产品。
随着半导体技术朝向大尺寸晶圆的方向发展,对晶圆的表面颗粒度、几何参数、边缘及表面的粗糙度提出了更加严格的要求。例如在切片工艺中,切片所得的晶圆边缘比较粗糙,存在凹凸不平、尖角等,这样,在各种后续加工工艺中可能会受到外力的作用,当外力超出晶圆的最大负载或是应力过度集中时就会造成晶圆裂痕、晶圆破片等问题,严重影响晶圆工艺的良率,因此,会针对晶圆进行边缘抛光作业,使得晶圆边缘的损伤部分能被去除,得到光滑的晶圆边缘。
以晶圆的边缘抛光为例,相关工艺中,以中国专利公开文献(公开号:CN1312747,发明名称:抛光晶片边缘的方法和设备)为例,公开有一种晶片边缘的抛光设备,在利用所述晶片边缘抛光设备进行边缘抛光时,将晶片固定在真空卡盘上,由真空卡盘带着晶片绕着中心线旋转,使用一个用合成塑料制成的抛光轮与晶片旋转的边缘接触,在绕着抛光轮的抛光表面设有凹槽,该凹槽的横断面与晶片边缘的轮廓互补,通过抛光轮与晶片的边缘之间发生相对运动,实现对晶片的边缘进行抛光。但在上述晶片边缘抛光设备中,抛光轮是设在真空卡盘的旁侧,这无疑增加了设备的整体空间。另外,上述晶片边缘抛光设备仅限于单纯的晶片边缘抛光,针对带有定位结构(定位结构可例如为例如凹口notch、平边flat等)的晶片,则无法完成晶片中定位结构的抛光。
实际上,以晶圆带有定位结构为例,该晶圆的边缘抛光可包括定位结构抛光及除定位结构之外的其他边缘抛光,而其中的每一类抛光工艺可进一步包括粗抛光和精抛光等,这些细化的抛光工艺一般均需配置单独的抛光设备,如此,就存在各个抛光设备之间布局、晶圆转移等问题,操作繁琐,效率低下,且在晶圆转移过程中增加了晶圆损伤的风险。
发明内容
鉴于以上所述相关技术的缺失,本申请的目的在于公开一种晶圆多工位边缘抛光设备,用于解决相关技术中结构复杂、操作繁琐,效率低下等问题。
本申请公开一种晶圆多工位边缘抛光设备,包括:
机座,具有晶圆作业平台;
一个或多个晶圆凹口抛光装置,设置于所述晶圆作业平台上,用于对晶圆的凹口进行凹口抛光;
一个或多个晶圆边缘抛光装置,设置于所述晶圆作业平台上,用于对晶圆的边缘进行边缘抛光;
晶圆转移装置,设置于所述晶圆作业平台上,用于转移晶圆。
在本申请的某些实施方式中,所述晶圆多工位边缘抛光设备包括至少一晶圆凹口抛光装置,所述晶圆凹口抛光装置包括:晶圆承载台,用于承载晶圆,所述晶圆具有作定位的凹口;晶圆凹口抛光机构,包括:抛光滚轮;滚轮旋转电机,用于驱动所述抛光滚轮旋转;滚轮移位机构,用于驱动抛光滚轮移位至对应所述晶圆承载台上的晶圆的凹口以令所述抛光滚轮针对所述晶圆的凹口进行凹口抛光。
在本申请的某些实施方式中,所述晶圆多工位边缘抛光设备包括晶圆凹口粗抛光装置和晶圆凹口精抛光装置;
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