[发明专利]具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910161795.7 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111647948B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李金彪;付红兵;吴义室;姚建年 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B29/64;C30B7/06;C07C209/82;C07C211/54;H01L51/46;G16C20/30;G16C20/70 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改善 激子 光子 耦合 强度 有机半导体 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种DPAVBi晶体，其特征在于，所述DPAVBi是指4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯，具有下式所示的化学结构：
；
所述晶体的晶胞参数为：a = 12.5329(6) Å, b = 19.8454(9) Å, c = 20.7968(12)Å；
所述晶体为微米带状单晶；
所述晶体宽度尺寸为0.8-8.04μ m ；
所述DPAVBi晶体的制备方法包括如下步骤：将5~20 mmol/L的DPAVBi的四氢呋喃溶液与不良溶剂混合后静置得到悬浊液，再将所述悬浊液固液分离，得到所述晶体；用不良溶剂对所述晶体洗涤并进行分散，得到分散体系，再将所述分散体系转移至基底，挥发所述不良溶剂，得到所述晶体；
所述不良溶剂为正己烷；
所述DPAVBi溶液与所述不良溶剂的体积比为1:(5-20)；
所述分散体系中，所述晶体与所述不良溶剂的比例为(1~3) mg : (2~10)mL。
2.如权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述晶体存在激子－光子耦合，其群折射率为3-10，激子－光子耦合强度为0.6-1.2 eV。
3.如权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述晶体的厚度为宽度的0.1~0.2倍；所述晶体的长度为宽度的5~200倍。
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