[发明专利]集成电路封装件和方法

权利要求书

1.一种器件封装件，包括：

第一管芯，在界面处直接接合至第二管芯，其中，所述界面包括导体至导体接合，所述界面包括所述第一管芯的第一金属部件直接接触所述第二管芯的第二金属部件，将所述第一管芯的所述第一金属部件设置在所述第一管芯的介电层中或所述第一管芯的半导体衬底中，并且所述第二管芯的所述第二金属部件设置在所述第二管芯的介电层中，所述第一管芯的介电层或半导体衬底直接接触所述第二管芯的介电层；

密封剂，围绕所述第一管芯和所述第二管芯；

多个通孔，延伸穿过所述密封剂，其中，所述多个通孔邻近所述第一管芯和所述第二管芯设置；

多个热通孔，延伸穿过所述密封剂，其中，所述多个热通孔设置于所述第二管芯的表面上并邻近所述第一管芯；以及

重分布结构，电连接至所述第一管芯、所述第二管芯和所述多个通孔，其中，所述多个通孔位于堆叠的所述第一管芯和第二管芯的外围以构成扇出部件，

其中，所述多个热通孔，位于被所述扇出部件包围的对接于所述第一管芯的所述第二管芯处。

2.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述第二管芯的介电层在所述界面处直接接合至所述半导体衬底，所述第一管芯还包括：

衬底通孔，延伸穿过所述半导体衬底，其中，所述第二管芯的接触焊盘在所述界面处直接接合至所述衬底通孔。

3.根据权利要求2所述的器件封装件，其中，所述衬底通孔将所述第二管芯电连接至所述重分布结构。

4.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述热通孔在至少一个方向上横向延伸经过所述第一管芯的侧壁并且比所述第一管芯长。

5.根据权利要求4所述的器件封装件，其中，所述第一管芯包括延伸穿过半导体衬底的衬底通孔，其中，所述衬底通孔比所述半导体衬底延伸的更高。

6.根据权利要求5所述的器件封装件，还包括钝化介电层，设置在所述第二管芯上方并且沿着所述第一管芯的侧壁。

7.根据权利要求6所述的器件封装件，其中，所述钝化介电层设置在所述多个热通孔的底面和所述第二管芯的顶面之间。

8.根据权利要求7所述的器件封装件，还包括接触焊盘，位于所述衬底通孔和所述钝化介电层上，其中，所述接触焊盘将所述衬底通孔电连接至所述重分布结构。

9.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述多个热通孔与所述第一管芯和所述第二管芯中的任何有源器件电隔离。

10.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述多个热通孔与所述第一管芯中的有源器件电连接。

11.一种封装件包括：

第一管芯，混合接合至第二管芯，其中，所述第一管芯的背面直接接合至所述第二管芯的正面；

密封剂，封装所述第一管芯和所述第二管芯；

重分布结构，电连接至所述第一管芯和所述第二管芯；

多个热通孔，从所述第一管芯的表面延伸至与所述重分布结构相对的所述密封剂的表面，所述多个热通孔与所述重分布结构位于所述第一管芯的相对侧；以及

多个通孔，从所述重分布结构延伸至与所述重分布结构相对的所述密封剂表面，

其中，所述多个通孔位于堆叠的所述第一管芯和第二管芯的外围以构成扇出部件，其中，所述多个热通孔，位于被所述扇出部件包围的对接于所述第二管芯的所述第一管芯处。

12.根据权利要求11所述的封装件，其中，所述第一管芯包括：

半导体衬底，直接接合至所述第二管芯的介电层；以及

衬底通孔，延伸穿过所述半导体衬底，其中，所述第二管芯的接触焊盘直接接合至所述衬底通孔。

13.根据权利要求11所述的封装件，其中，所述多个热通孔中的每一个包括位于所述第一管芯的背面上的晶种层。