[发明专利]一种双面背接触太阳能电池组件在审
申请号: | 201910163100.9 | 申请日: | 2019-03-05 |
公开(公告)号: | CN111668330A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 李华;刘继宇 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/02;H01L31/068 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人: | 韩畅 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 接触 太阳能电池 组件 | ||
本发明提供一种双面背接触太阳能电池组件,涉及太阳能电池领域,能够解决组件在层压过程中导致的碎片发生的问题。电池组件从上至下依次包括前盖板、前封装材料、背接触太阳能电池片、电连接层、后封装材料和后盖板,电连接层嵌于后封装材料中;电连接层包括若干导电金属线和汇流带,导电金属线用于与背接触太阳能电池片的背面电极连接;后封装材料为具有热塑性的封装材料。其有益效果是:通过先将导电金属线与汇流带嵌于具有热塑性的后封装材料中,然后将导电金属线与太阳能电池片的背面电极进行连接,以实现柔性互联,保证了组件层压过程中不会有产生碎片;通过柔性封装和背接触电池组件的双面发电,提高太阳能电池组件的发电输出功率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,具体涉及一种双面背接触太阳能电池组件。
背景技术
目前,背接触太阳能电池(如IBC、MWT、EWT太阳电池)由于具有常规太阳能电池难以达到的高效率而备受业界关注,已经成为新一代太阳能电池技术的研究热点。背接触太阳能电池正面没有主栅线,甚至没有任何电极图形,正极和负极都设在电池片的背面,减少了电池片的遮光,从而有效增加了电池片的短路电流,使电池片的能量转化效率得到提高。
将背接触太阳能电池进行切片,通过串联-并联结构设计封装成电池组件,可以进一步降低组件的欧姆损耗,提供电池组件的输出功率。
双面电池组件的正面和反面均具有把光能转换成电能的能力,与传统的单面发电光伏组件相比,双面发电的组件输出功率更大,从而可降低其在光伏系统应用中的度电成本。
将背接触太阳能电池做成双面发电组件可以进一步提升组件的输出功率。 2017年新加坡的SERIS研究机构发布了60片型双面IBC电池组件,输出功率较常规60组件的270~290瓦提升到400瓦。
但是,目前背接触太阳能电池组件的制作仍然是常规的焊带连接方式,由于使用单面焊接冷却后产生的应力会导致电池片弯曲弓片,破片率非常高,组件也存在隐裂导致失效的风险,工业批量化生产会很困难。
为了最大化地利用背接触太阳能电池以及双面发电组件的发电潜力,避免常规的焊带连接带来的缺陷,开发一种高输出功率、高可靠性、能进行批量化生产的双面太阳能电池组件具有重要的现实意义。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种低成本、高生产效率、高输出功率、能批量化生产的双面背接触太阳能电池组件,以满足降本、增效的太阳能电池组件的应用需求。
本发明提供的一种双面背接触太阳能电池组件,其技术方案为:
一种双面背接触太阳能电池组件,其特征在于:所述双面背接触太阳能电池组件从上至下依次包括前盖板、前封装材料、背接触太阳能电池片、电连接层、后封装材料和后盖板,所述电连接层嵌于后封装材料中;所述电连接层包括若干导电金属线和汇流带,所述导电金属线用于与所述背接触太阳能电池片的背面电极连接;所述后封装材料为具有热塑性的封装材料。
本发明提供的一种双面背接触太阳能电池组件,还包括如下附属技术方案:
其中,所述背接触太阳能电池片的背面电极包括与P型掺杂区域接触的P 型电极和与N型掺杂区域接触的N型电极。
其中,所述P型电极包括P型细栅线电极和P型连接电极,所述N型电极包括N型细栅线电极和N型连接电极;所述P型细栅线电极与P型连接电极连接,所述N型细栅线电极与N型连接电极连接;所述P型连接电极用于导出所述P型细栅线电极上的电流,所述N型连接电极用于导出所述N型细栅线电极上的电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910163100.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的