[发明专利]一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法在审
| 申请号： | 201910163123.X | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109850842A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;石鹏飞;钱林茂;余丙军;贡健;陈超;郭杰 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅表面 纳米坑 加工 去除 单晶硅样品 加工位置 无损 扫描探针显微镜 自然氧化层 超声清洗 分离操作 服役性能 腐蚀处理 基底材料 加工表面 加工步骤 接触压力 晶格缺陷 酒精溶液 去离子水 高可靠 硅原子 氢原子 放入 晶格 水中 探针 压入 羟基 冲洗 离子 清洗 损伤 污染 | ||
1.一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理，以去除单晶硅样品表面的自然氧化层，并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面；
S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后，依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗，以去除单晶硅表面污染；
S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工，探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入-分离操作，从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。
2.根据权利要求1所述的单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：所述步骤S1中，将质量浓度为20％的氢氟酸溶液与去离子水以1：4的比例混合、稀释，再将单晶硅样品置于溶液中处理3-5min，以去除单晶硅表面的自然氧化层，并获得氢原子终止的单晶硅表面。
3.根据权利要求1所述的单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：所述步骤S2中，在酒精溶液中超声清洗3-5min，再在去离子水中超声清洗1-3min。
4.根据权利要求1所述的单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：所述探针为二氧化硅探针。
5.根据权利要求1-4任一所述的单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：所述接触压力为0.75-1.15GPa。
6.根据权利要求1-4任一所述的单晶硅表面纳米坑无损加工方法，其特征在于：所述接触时间为10s以内。
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