[发明专利]一种高压窄脉冲调制电路在审
申请号: | 201910164427.8 | 申请日: | 2019-03-05 |
公开(公告)号: | CN109921748A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 杨留邡;谭琮;龙倩 | 申请(专利权)人: | 贵州航天电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/21;H03K17/041 |
代理公司: | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550009 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极驱动模块 调制开关 储能电路 功率器件 开关栅极 驱动电路 整形驱动电路 高压窄脉冲 调制电路 调制脉冲 放电电路 依次连接 闭环 调制脉冲信号 布局结构 调制信号 快速响应 驱动能力 瞬间电流 振铃效应 印制板 放电 减小 漏极 通断 走线 电路 响应 保证 | ||
1.一种高压窄脉冲调制电路,包括调制脉冲整形驱动电路、MOSFET栅极驱动模块、开关栅极驱动电路、调制开关管、放电电路、储能电路、功率器件,其特征在于:所述的调制脉冲整形驱动电路与MOSFET栅极驱动模块连接,MOSFET栅极驱动模块与开关栅极驱动电路、储能电路、调制开关管、放电电路依次连接组成闭环,MOSFET栅极驱动模块连接与开关栅极驱动电路、调制开关管、功率器件依次连接。
2.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:所述调制脉冲整形驱动电路对输入信号进行整形,将驱动电流传递给MOSFET栅极驱动模块。
3.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:所述MOSFET栅极驱动模块接收驱动电流信号,输出高压、大电流的脉冲信号。
4.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:所述开关栅极驱动电路提高调制开关管的导通与关断速度。
5.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:调制开关管为功率器件提供所需的峰值电压与电流。
6.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:放电电路为功率器件提供快速放电回路,降低调制脉冲信号下降沿处产生的振铃现象。
7.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:储能电路为功率器件提供瞬间峰值电流,降低脉冲过冲,保证脉冲电压顶降在允许范围内。
8.如权利要求1所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:功率器件是GaN大功率放大器件。
9.如权利要求5所述的一种高压窄脉冲调制电路,其特征在于:所述调制开关管是P-MOS大功率管。
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