[发明专利]一种基于LED芯片生产加工的制造工艺

权利要求书

1.一种基于LED芯片生产加工的制造工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、清洗采用超声波清洗LED的支架，清洗参数为：超声振动频率20000赫兹，时间15-30min，清洗完成后进行烘干；

S2、提供一衬底，在衬底上生长半导体外延结构，形成LED晶圆，所述半导体外延结构包括从衬底向上依次设置的N型半导体层、发光层和P型半导体层；

S3、在半导体外延结构中的N型半导体层上形成N型半导体台面区，对LED晶圆沿着相邻芯粒中间进行激光划切，形成V型隔离沟槽，V型隔离沟槽包括从半导体外延结构延伸至衬底的第一斜面，分别在P型半导体层和N型半导体台面上制作P电极和N电极；

S4、将LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上，在LED支架的相应位置点上银胶，用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上；

S5、先在LED支架上点上银胶，然后用将LED芯片吸起移动位置,再安置在相应的支架位置上，银胶烧结的温度控制在140-160℃,烧结时间为1.5-2小时，用金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线，开启焊机进行压焊；

S6、选用环氧支架对LED芯片进行点胶封装固化封装环氧,环氧固化条件在120-135℃,1-1.5小时，固化操作后进行后固化，让环氧充分固化,同时对LED进行热老化，条件为110-120℃,4-5小时；

S7、采用切筋切断LED支架的连筋，在一片PCB板上,进行划片机来完成分离工作，在芯片正面制作绝缘钝化层，将成品进行计数包装，即为成品。

2.根据权利要求1所述的一种基于LED芯片生产加工的制造工艺，其特征在于：所述烘干采用恒温烘干，温度为75℃，时间为30min。

3.根据权利要求1所述的一种基于LED芯片生产加工的制造工艺，其特征在于：所述点胶量10-15mg/单位，胶体高度0.15-0.27mm,点胶温度80-120℃，备胶量为2.5-3.3g/cm2。