[发明专利]一种弥补Co靶材质量缺陷的方法有效
| 申请号： | 201910164965.7 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109972104B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 于广华;冯春;徐秀兰 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 11237 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 靶材 均匀磁场 平行 磁控溅射沉积 磁控溅射仪 基片位置 质量缺陷 膜面处 施加 溅射 薄膜 清洗 磁化 薄膜沉积过程 磁性材料技术 靶材表面 高剩磁 规模化 连续化 透磁率 镀膜 放入 沉积 生产成本 | ||
1.一种弥补Co靶材质量缺陷的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、选用市面上常见的高透磁率的Co靶材，并对Co靶材表面进行清洗；
S2、将S1清洗后的Co靶材放入磁控溅射仪中溅射，溅射过程中在磁控溅射仪内的基片位置平行于膜面处施加均匀磁场，磁控溅射沉积制得高镀膜质量、高剩磁比的5-10nm厚的Co薄膜；
所述S1中高透磁率的Co靶材是透磁率为69.13％-82.41％的Co靶材；
所述S1中Co靶材的直径为45-55mm，厚度为2-4mm；
所述S2中施加均匀磁场的磁场强度为600-1000Oe。
2.根据权利要求1所述弥补Co靶材质量缺陷的方法，其特征在于，所述S1中Co靶材的直径为50.8mm，厚度为3mm。
3.根据权利要求1所述弥补Co靶材质量缺陷的方法，其特征在于，所述S1中对Co靶材表面进行清洗包括先用丙酮酒精或其他化学试剂超声清洗，再用去离子水超声清洗，最后通过氮气吹干或者烘箱烘干。
4.根据权利要求1所述弥补Co靶材质量缺陷的方法，其特征在于，所述S2中施加均匀磁场的磁场强度为630-730Oe。
5.根据权利要求4所述弥补Co靶材质量缺陷的方法，其特征在于，所述S2中施加均匀磁场的磁场强度为680Oe。
6.根据权利要求1所述弥补Co靶材质量缺陷的方法，其特征在于，所述S2中高镀膜质量、高剩磁比的Co薄膜为薄膜剩磁比99.2％-99.7％的Co薄膜。
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