[发明专利]石墨烯/铜复合散热膜的制备方法及制得的散热膜与应用在审
| 申请号： | 201910165155.3 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109962009A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李赫然;李青;王丽莎 | 申请（专利权）人： | 北京旭碳新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48;H01L23/373;H05K7/20;B05D1/28;B05D3/04;B05D5/00;B05D7/14 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 刘兵;戴香芸 |
| 地址： | 100081 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热膜 石墨烯 复合 制备 制备氧化石墨 湿涂层 还原氧化石墨烯 应用 延长使用寿命 压延 氧化石墨烯 导热性能 减少设备 绿色环保 散热材料 分散液 干涂层 散热量 散热 热压 电子产品 能耗 | ||
1.一种石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
1)将氧化石墨烯分散到溶剂中，得到氧化石墨烯分散液；
2)将所述氧化石墨烯分散液涂覆到铜箔上，得到氧化石墨烯/铜复合湿涂层；
3)将所述氧化石墨烯/铜复合湿涂层进行干燥，得到氧化石墨烯/铜复合干涂层；
4)将所述氧化石墨烯/铜复合干涂层在惰性气体氛围中进行热处理，得到石墨烯/铜复合涂层；
5)将所述石墨烯/铜复合涂层进行热压压延，得到石墨烯/铜复合散热膜。
2.根据权利要求1所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述溶剂为去离子水；
优选地，所述氧化石墨烯的粒径为10-300μm；
优选地，相对于1g的所述氧化石墨烯，所述溶剂的用量为10-150mL，优选为10-120mL，更优选为20-100mL。
3.根据权利要求1所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述涂覆通过涂布机进行涂布；
优选地，所述涂布机的涂膜速度为20-100m/s，刮刀宽度为30-100mm，刮刀厚度为0.01-10mm；
更优选地，所述涂布机的涂膜速度为20-60m/s，刮刀宽度为30-70mm，刮刀厚度为0.1-3mm。
4.根据权利要求3所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，所述铜箔的厚度为10-60μm；
优选地，所述铜箔的厚度为20-50μm；
优选地，所述氧化石墨烯/铜复合湿涂层的厚度为20-60μm。
5.根据权利要求1所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述干燥的条件包括：真空度为0-100Pa，干燥温度为70-120℃，干燥时间为1-6h；
优选地，所述干燥的条件包括：真空度为20-100Pa，干燥温度为80-110℃，干燥时间为2-4h。
6.根据权利要求1所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述热处理在高温炉中进行；
优选地，所述高温炉的功率为10-40KW；
优选地，所述热处理的条件包括：在10-20min内升温至300-500℃，保温1-3h，冷却至室温；
优选地，所述热处理的条件包括：在10-20min内升温至300-500℃，保温2-3h，冷却至室温；
优选地，所述惰性气体为氩气或氮气。
7.根据权利要求1所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述热压压延采用热压压延机；
优选地，所述热压压延的条件包括：热压压延机的压力为20-80MPa，升温速率为10-40℃/min，在500-1000℃下保温10-60min后，冷却至室温。
8.根据权利要求7所述的石墨烯/铜复合散热膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述热压压延的条件包括：热压压延机的压力为40-60MPa，升温速率为10-30℃/min，在600-900℃下保温10-40min后，冷却至室温。
9.由权利要求1-8中任意一项所述的方法制得的石墨烯/铜复合散热膜。
10.权利要求9所述的石墨烯/铜复合散热膜在制备手机和/或显示器中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京旭碳新材料科技有限公司，未经北京旭碳新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910165155.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型半导体线路制作工艺
- 下一篇：圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
