[发明专利]一种SiC基板的制造方法在审
| 申请号： | 201910165370.3 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109913943A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 袁纪文 | 申请（专利权）人： | 扬州港信光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 225600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 块状单晶 切割 单晶 籽晶 制作 坩埚 制造 金刚石切割线 碳化硅单晶 碳化硅粉末 升华 表面平整 粉末原料 圆柱状 再结晶 生长 多块 盖体 喷浆 切出 生产成本 | ||
1.一种SiC基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、准备SiC粉末，将其作为原料；
S2、将S1中的SiC粉末原料放置在坩埚内，在坩埚的盖体中安装由SiC单晶构成的籽晶，通过使原料升华进行再结晶，使SiC单晶在籽晶上生长，然后得到大致为圆柱状的SiC的块状单晶；
S3、将待切割的SiC块状单晶安装在工作台上；
S4、将金刚砂与切割液按照1比2的质量比进行配比，制作混合砂浆，使砂浆密度达到1.2至1.3之间，通过搅拌机对其进行搅拌，搅拌2至3个小时；
S5、将金刚石切割线绕到切割轮上，形成均匀的环形线网，设定切割线运行速度，启动切割机，将混合砂浆喷向金刚石切割线，使浸有混合砂浆砂浆的金刚石切割线对SiC块状单晶进行切割，制得成品。
2.根据权利要求1所述的一种SiC基板的制造方法，其特征在于：所述步骤S1中，SiC粉末为含有α型碳化硅的粉末、含有β型碳化硅的粉末或含有α型碳化硅和β型碳化硅的混合物的粉末。
3.根据权利要求1所述的一种SiC基板的制造方法，其特征在于：所述步骤S5中，切割线运行速度为700m/min至1600m/min，切割张力为10N至80N。
4.根据权利要求1所述的一种SiC基板的制造方法，其特征在于：所述步骤S5中，金刚石切割线是以高碳钢丝为基材，表面电镀金刚石颗粒，金刚石切割线的直径为150um至400um，金刚石切割线表面的颗粒直径为15um至70um。
5.根据权利要求1所述的一种SiC基板的制造方法，其特征在于：所述步骤S2中，以堆密度为0.5至1.8g/cm3的方式将SiC粉末原料放置于坩埚内对其加热。
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