[发明专利]一种场效应功率管开通电路

权利要求书

1.一种场效应(MOS)功率管开通电路，该电路包括：MOS功率管S1、驱动电阻R1以及辅助开通电路；其中、所述MOS功率管S1的漏极和源极处于相应的偏置状态使所述MOS功率管S1能够处于完全开通状态，驱动电阻R1的一端连接MOS功率管S1的栅极，另一端连接驱动电压U1；所述辅助开通电路并联在驱动电阻R1的两端，并在驱动电压U1上升到该MOS功率管S1门极电压变化阶段的米勒平台电压值时导通，导通后的所述辅助开通电路的阻抗小于所述驱动电阻R1的阻抗、使驱动电压U1产生的充电电流经由所述辅助开通电路输入到MOS功率管的栅极进行充电，加快门极电压的变化，加速所述MOS功率管S1的导通。

2.如权利要求1所述的场效应(MOS)功率管开通电路，其中、所述辅助开通电路包括：晶体三极管Q1，比较器Com1以及上拉电阻R2；其中晶体三极管Q1的射极连接MOS功率管S1的栅极，晶体三极管Q1的集电极连接驱动电压U1,与驱动电阻R1并联；比较器Com1的输出端连接晶体三极管Q1的基极以及上拉电阻R2的一端，上拉电阻R2的另一端连接预设的上拉电压；比较器Com1的正向输入端接驱动电压U1的采样电压，反向输入端接参考电压，其中所述参考电压设为所述MOS功率管门极电压变化阶段的米勒平台电压值。

3.如权利要求1所述的场效应(MOS)功率管开通电路，其中、所述辅助开通电路包括：晶体三极管Q1，稳压管Z1；其中晶体三极管Q1的射极接MOS功率管S1的栅极，晶体三极管Q1的集电极连接驱动电压U1,与驱动电阻R1并联；稳压管Z1的正极连接晶体三极管Q1的基极，负极连接驱动电压U1，稳压管的稳压值设为所述MOS功率管门极电压变化阶段的米勒平台电压值。

4.一种场效应(MOS)功率管开通方法，该方法具体实现为:增设辅助开通电路，并将所述辅助开通电路并联在MOS功率管栅极上连接的驱动电阻的两端，驱动电压通过该驱动电阻接入到MOS功率管栅极；当驱动电压上升该MOS功率管门极电压变化阶段的米勒平台电压值时，所述辅助开通电路导通；导通后的所述辅助开通电路的阻抗小于所述驱动电阻的阻抗、使驱动电压产生的充电电流经由所述辅助开通电路输入到MOS功率管的栅极进行充电，加快门极电压的变化，加速所述MOS功率管的导通。