[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法

权利要求书

1.一种高导热氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

素坯的制备：将氮化硅粉、烧结助剂溶于有机溶剂，加入分散剂、粘结剂和增塑剂，先球磨、脱泡处理，然后通过流延处理得氮化硅流延素坯；

中间层的制备：取两块具有孔洞的石墨板平行放置，在两石墨板两端之间设置两石墨条构成一腔室形成中间层，并在中间层上下两面涂覆浆料形成浆料分隔层；

排胶、烧结：将氮化硅流延素坯、中间层依次叠层堆放，然后先进行排胶处理，再烧结制得高导热氮化硅陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的烧结助剂选自MgO、MgSiN₂、Y₂O₃ 、CeO₂、Yb₂O₃、La₂O₃、Er₂O₃、Sm₂O₃、Dy₂O₃ 或Nd₂O₃中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，浆料由氮化硼粉和溶剂制成，其中溶剂的质量为氮化硼粉体质量的1~3.5倍。

4.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，排胶温度为450~650℃，升温速率为1~3℃/min，保温时间为3~25小时。

5.据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的烧结为：先升温至1700~1950℃，升温速率为10~20℃/min，保温1-6个小时，并保持0.2~2MPa的氮气气压，然后降温至1350~1600℃，降温速率为0.5~10℃/min，最后随炉冷却。