[发明专利]一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路

权利要求书

1.一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，其特征是，包括2个多能量升压单元；每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成；

第一高电压钳位电路包括电容C₁和NMOS管CMN₁；NMOS管CMN₁的衬底接其漏极；差分射频输入信号RF-连接电容C₁的上级板；电容C₁的下级板连接NMOS管CMN₁的源极，并形成第一高电压钳位电路的输出端；NMOS管CMN₁的漏极和栅极同时连接直流信号DC+；

第一低电压钳位电路包括电容C₂和NMOS管CMN₂；NMOS管CMN₂的衬底接其漏极；差分射频输入信号RF-连接电容C₂的上级板；电容C₂的下级板连接NMOS管CMN₂漏极和栅极，并形成第一低电压钳位电路的输出端；NMOS管CMN₂源极连接直流信号DC-；

第一输出电路包括NMOS管MN₁和PMOS管MP₁；NMOS管MN₁的衬底接其源极；PMOS管MP₁的衬底接其源极；PMOS管MP₁的源极接第一高电压钳位电路的输出端；NMOS管MN₁的源极接第一低电压钳位电路的输出端；差分射频输入信号RF+同时连接NMOS管MN₁和PMOS管MP₁的栅极；NMOS管MN₁和PMOS管MP₁的漏极相连，并输出差分输出信号Out-；

第二高电压钳位电路包括电容C₃和NMOS管CMN₃；NMOS管CMN₃的衬底接其漏极；差分射频输入信号RF+连接电容C₃的上级板；电容C₃的下级板连接NMOS管CMN₃的源极，并形成第二高电压钳位电路的输出端；NMOS管CMN₃的漏极和栅极同时连接直流信号DC+；

第二低电压钳位电路包括电容C₄和NMOS管CMN₄；NMOS管CMN₄的衬底接其漏极；差分射频输入信号RF+连接电容C₄的上级板；电容C₄的下级板连接NMOS管CMN₄漏极和栅极，并形成第二低电压钳位电路的输出端；NMOS管CMN₄源极连接直流信号DC-；

第二输出电路包括NMOS管MN₂和PMOS管MP₂；NMOS管MN₂的衬底接其源极；PMOS管MP₂的衬底接其源极；PMOS管MP₂的源极接第二高电压钳位电路的输出端；NMOS管MN₂的源极接第二低电压钳位电路的输出端；差分射频输入信号RF+同时连接NMOS管MN₂和PMOS管MP₂的栅极；NMOS管MN₂和PMOS管MP₂的漏极相连，并输出差分输出信号Out+。

2.根据权利要求1所述的一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，其特征是，电容C₁～C₄的参数相同。

3.根据权利要求1所述的一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，其特征是，NMOS管CMN₁～CMN₄的参数相同。

4.根据权利要求1所述的一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，其特征是，PMOS管MP₁宽长比是NMOS管MN₁宽长比的3倍。

5.根据权利要求1所述的一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，其特征是，PMOS管MP₂宽长比是NMOS管MN₂宽长比的3倍。