[发明专利]一种线性聚二甲基硅烷修饰油水分离膜的制备方法及其制备的油水分离膜

权利要求书

1.一种线性聚二甲基硅氧烷修饰油水分离膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1. 将多孔基底清洗去除表面有机杂质；

S2. 将上述S1的多孔基底进行表面羟基化处理；

S3. 将上述S2羟基化多孔基底浸入线性聚二甲基硅氧烷液体中进行表面柔性高分子刷类液体层接枝反应，反应温度80~150 ℃，反应时间12~48 h；

S4. 将上述S3的接枝基底清洗除去多余的聚二甲基硅氧烷，干燥得到聚二甲基硅氧烷修饰油水分离膜；

其中，S3中所述柔性高分子刷类液体层为单分子层；

S2中所述多孔基底表面羟基化的具体操作为：将多孔基底置于等离子处理机中，处理强度30~50 W，处理时间10~30 min。

2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述线性聚二甲基硅氧烷的分子量为2000~50000。

3.如权利要求2所述制备方法，其特征在于，所述线性聚二甲基硅氧烷的分子量为5000~10000。

4.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述线性聚二甲基硅氧烷为甲基、羟基、氨基、乙烯基、或环氧基封端的线性聚二甲基硅氧烷。

5.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S3中所述接枝反应的反应温度为100 ℃，反应时间为24 h。

6.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述多孔基底清洗的具体操作为：将多孔基底依次放入丙酮、异丙醇和去离子水溶液中，分别超声清洗。

7.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S4中所述接枝基底清洗的具体操作为：将接枝基底依次放入甲苯、异丙醇和水溶液中充分洗涤，除去表面多余的聚二甲基硅氧烷。

8.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述多孔基底为不锈钢网、无机陶瓷多孔膜、高分子膜或有机无机杂化膜。

9.一种由权利要求1~8任意一项所述制备方法制备得到的油水分离膜。