[发明专利]透明电磁屏蔽薄膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，包括：

透明基底；

柔性材料层，位于所述透明基底的上表面，且所述柔性材料层的上表面形成有多个凹槽结构；

导磁材料层，位于各所述凹槽结构的底部，且所述导磁材料层的厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；

导电材料层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导磁材料层的上表面，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；

黑化处理层，位于各所述凹槽结构内，且位于所述导电材料层的上表面。

2.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，所述透明基底包括玻璃基底、聚对苯二甲酸乙二醇酯基底、聚酰亚胺基底、聚碳酸酯基底或聚甲基丙烯酸甲酯基底；所述柔性材料层包括UV树脂层；所述导磁材料层包括铁层、镍层、铁镍合金层或镍钴合金层；所述导电材料层包括铜层、锌层、锡层、金层或银层；所述黑化处理层包括硫化层、锡镍合金层或碳层。

3.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，各所述凹槽结构独立分布或各所述凹槽结构相互连接呈网格状互连分布。

4.根据权利要求1所述的透明电磁屏蔽薄膜结构，其特征在于，所述凹槽结构的宽度包括2微米～50微米，所述凹槽结构的深度包括2微米～50微米。

5.一种透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，所述透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法包括如下步骤：

提供透明基底；

于所述透明基底的上表面形成柔性材料层；

于所述柔性材料层的上表面形成多个凹槽结构；

于所述凹槽结构的底部形成导磁材料层，所述导磁材料层厚度小于所述凹槽结构的深度；所述导磁材料层包括多条导磁线，所述导磁线位于各所述凹槽结构内；

于所述导磁材料层的上表面形成导电材料层，所述导电材料层与所述导磁材料层的厚度之和小于所述凹槽结构的深度；所述导电材料层包括多条导电线，所述导电线位于各所述凹槽结构内；

于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层，所述黑化处理层位于各所述凹槽结构内。

6.根据权利要求5所述的透明电池屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，于所述柔性材料层的表面形成多个凹槽结构包括如下步骤：

提供表面具有凸起结构的模具；

基于所述模具采用压印工艺于所述柔性材料层的表面形成多个所述凹槽结构。

7.根据权利要求5所述的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，于各所述凹槽结构内形成导磁材料层包括如下步骤：

采用点胶工艺于所述柔性材料层的表面放置导磁浆料；

将所述导磁浆料刮涂至各所述凹槽结构内；所述导磁浆料固化后即形成所述导磁材料层。

8.根据权利要求5所述的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，采用电镀工艺或化学镀工艺于所述导磁材料的上表面形成所述导电材料层。

9.根据权利要求5所述的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层具体方法包括将所述导电材料层的上表面进行硫化处理，以于所述导电材料层的上表面形成硫化层作为所述黑化处理层。

10.根据权利要求5所述的透明电磁屏蔽薄膜结构的制备方法，其特征在于，于所述导电材料层的上表面形成黑化处理层具体方法包括于所述导电材料层的上表面形成锡镍合金层或碳层作为所述黑化处理层。