[发明专利]具有场板结构的晶体管沟槽结构

说明书

本公开涉及具有场板结构的晶体管沟槽结构。一种沟槽结构正侧向定位在第一晶体管的第一阱和第一源极区与第二阱区之间，其中第二源极用于第二晶体管。所述沟槽结构包括所述第一晶体管的第一栅极结构、所述第二晶体管的第二栅极结构、第一导电场板结构和第二导电场板结构。所述第一栅极结构、所述第一场板结构、所述第二场板结构和所述第二栅极结构在所述沟槽结构中定位于所述第一阱区与所述第二阱区之间的侧向线中。所述沟槽结构包括在所述侧向线中将所述第一场板结构与所述第二场板结构彼此分离的介电质。所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。

技术领域

本发明通常涉及半导体装置且更具体地说涉及具有带场板的沟槽结构的晶体管。

背景技术

一些类型的晶体管包括定位在基板的沟槽结构中的晶体管结构。举例来说，一些类型的晶体管包括定位在沟槽结构中的栅极结构。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种晶体管装置，包括：

第一晶体管的第一源极区；

所述第一晶体管的第一阱区；

第二晶体管的第二源极区；

所述第二晶体管的第二阱区；

沟槽结构，其正侧向定位在所述第一阱区与所述第二阱区之间，所述沟槽结构包括：

所述第一晶体管的第一栅极结构；

所述第二晶体管的第二栅极结构；

第一导电场板结构；

第二导电场板结构；

其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构各自包括在所述沟槽结构中正侧向定位在所述第一阱区与所述第二阱区之间的部分；

其中所述第一导电场板结构和所述第二导电场板结构各自包括正侧向定位在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间的部分；

所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极区，其包括定位在所述沟槽结构正下方的部分。

在一个或多个实施例中，所述第一晶体管被表征为场效应晶体管且所述第二晶体管被表征为场效应晶体管。

在一个或多个实施例中，所述沟槽结构沿着侧向线正侧向定位在所述第一阱区与所述第二阱区之间，其中所述第一导电场板结构和所述第二导电场板结构各自在所述沟槽结构中在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构下方从所述侧向线延伸。

在一个或多个实施例中，所述沟槽结构沿着侧向线正侧向定位在所述第一阱区与所述第二阱区之间，其中所述第一场板结构沿着所述侧向线与所述第二导电场板结构侧向分离的距离大于所述第一栅极结构沿着所述线与所述第一导电场板结构分离的距离和所述第二栅极结构沿着所述侧向线与所述第二导电场板结构分离的距离。

在一个或多个实施例中，所述第一阱区包括定位在所述第一源极区正下方且在所述第一栅极结构正侧方的所述第一晶体管的第一沟道区，所述第二阱区包括定位在所述第二源极区正下方且在所述第二栅极结构的正侧方的所述第二晶体管的第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区各自被表征为竖直沟道区。

在一个或多个实施例中，所述第一阱区和所述第二阱区各自包括具有第一类型的净导电率掺杂的部分，所述漏极区包括具有第一浓度的第二类型的净导电率的部分，其中第三区定位在所述第一阱区与所述漏极区之间且第四区定位在所述第二阱区与所述漏极区之间，所述第三区和所述第四区各自具有第二浓度的所述第二类型的净导电率，所述第二浓度小于所述第一浓度。

在一个或多个实施例中，所述沟槽结构定位在内埋介电层正上方。