[发明专利]非易失性存储器及其读取方法

权利要求书

1.一种非易失式存储器的读取方法，包括：

擦除一存储单元串的多个存储单元；

设定这些存储单元中的一目标存储单元，设定一初始电压，依据一步阶值以递增该初始电压来产生多个编程电压，并使该目标存储单元分别依据这些编程电压以依序执行多个编程动作，并在这些编程动作中验证该目标存储单元以获得一第一验证电流；以及

依据判断该第一验证电流以及一第一参考电流以设定对应的编程电压为一目标电压；以及

依据该目标电压对该目标存储单元外的多个其他存储单元进行编程动作，并使该存储单元串为一读取参考存储单元串。

2.根据权利要求1所述的读取方法，更包括：

设定该目标电压的输入电压为一第一工作电压。

3.根据权利要求1所述的读取方法，其中依据判断该第一验证电流以及该第一参考电流以设定该目标电压的步骤包括：

比较该第一验证电流以及该第一参考电流，并在递增的该第一验证电流大于该第一参考电流时，依据对应的编程电压来设定该目标电压。

4.根据权利要求2所述的读取方法，其中这些存储单元的至少一第一存储单元被编程为第一阻值状态，这些存储单元的多个第二存储单元被编程为第二阻值状态，这些第二存储单元依据该输入电压提供多个读出阻值，并产生多位阶的一读出数据，

其中该至少一第一存储单元的阻值低于这些第二存储单元的阻值。

5.一种非易失性存储器，包括：

一存储单元阵列，包括多个存储单元串，各该存储单元串包括多个存储单元；以及

一控制器，耦接该存储单元阵列，用以：

擦除这些存储单元串的其中之一选中存储单元串的这些存储单元；

设定该选中存储单元串的这些存储单元中的一目标存储单元，设定一初始电压，依据一步阶值以递增该初始电压来产生多个编程电压，并使该目标存储单元分别依据这些编程电压以依序执行多个编程动作，并在这些编程动作中验证该目标存储单元以获得一第一验证电流；

依据判断该第一验证电流以及一第一参考电流以设定一目标电压；以及

依据该目标电压对该目标存储单元外的多个其他存储单元进行编程动作，并使该存储单元串为一读取参考存储单元串。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中该控制器更用以：

设定该目标电压的输入电压为一第一工作电压。

7.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中该控制器更用以：

比较该第一验证电流以及该第一参考电流，并在递增的该第一验证电流大于该第一参考电流时，依据该目标存储单元对应的编程电压来设定该目标电压。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其中这些存储单元的至少一第一存储单元被编程为第一阻值状态，这些存储单元的多个第二存储单元被编程为第二阻值状态，这些第二存储单元依据该输入电压提供多个读出阻值，并产生多位阶的一读出数据，

其中该至少一第一存储单元的阻值低于这些第二存储单元的阻值。

9.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中各该存储单元串更包括：

一第一选择开关，耦接在一位线以及这些存储单元间，受控于一第一选择控制信号；以及

一第二选择开关，耦接在这些存储单元以及一参考电压间，受控于一第二选择控制信号，

其中，这些存储单元相互串连耦接。

10.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其中各该存储单元串的这些存储单元分别耦接至多条字元线，从而分别接收多个输入电压。