[发明专利]用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路在审
| 申请号： | 201910170169.4 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109979517A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 屈小钢 | 申请（专利权）人： | 中科亿海微电子科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏极 存储单元 互相连接 互锁 存储单元电路 冗余配置 栅极连接 布线 读写存储单元 传输管 清零 源极 | ||
1.一种用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，包括：
2N对互锁存储单元，每一对互锁存储单元包括一个PMOS管和一个NMOS管，其中，第i个PMOS管的漏极连接第i+1个PMOS管的栅极，第2N个PMOS管的漏极连接第1个PMOS管的栅极；第i个NMOS的栅极连接第i+1个NMOS的漏极，第2N个NMOS管的栅极连接第1个NMOS管的漏极；每一对互锁存储单元的PMOS管和NMOS管的漏极互相连接，1≤i≤2N-1；
N个传输管，其栅极和源极分别互相连接；
N个清零管，其栅极互相连接。
2.根据权利要求1所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，第1个传输管的漏极连接第1对互锁存储单元的漏极、第2个PMOS管的栅极和第2N个NMOS管的栅极；第a个传输管的漏极连接第2a-1对互锁存储单元的漏极、第2a-2个NMOS管的栅极、第2a个PMOS管的栅极，2≤a≤N。
3.根据权利要求2所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，第b个清零管的漏极连接第2b对互锁存储单元的漏极、第2b-1个NMOS管的栅极、第2b+1个PMOS管的栅极；第N个清零管的漏极连接第2N对互锁存储单元的漏极、第2N-1个NMOS管的栅极、第1个PMOS管的栅极，1≤b≤N-1。
4.根据权利要求1所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，2N个所述PMOS的源极互相连接。
5.根据权利要求1所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，2N个上述NMOS的源极互相连接。
6.根据权利要求1所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，所述N的范围为N≥4。
7.根据权利要求1所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，所述传输管为NMOS管或PMOS管，所述清零管为NMOS管。
8.根据权利要求1所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，所述传输管的栅极与sel输入端连接，其源极与data输入端连接；和/或
所述清零管的栅极与clr输入端连接。
9.根据权利要求4所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，2N个所述PMOS的源极均与高电平连接。
10.根据权利要求5所述的用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路，其中，2N个所述NMOS的源极均接地。
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