[发明专利]一种讯号量测介质软板的制作方法有效
申请号: | 201910170274.8 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN110035625B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 刘红军;杨文仁 | 申请(专利权)人: | 武汉迈斯卡德微电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K3/06 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 范赤 |
地址: | 430000 湖北省武汉市中国(湖北)自贸区武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 讯号 介质 制作方法 | ||
1.一种讯号量测介质软板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:形成一基底层及一导电层,该导电层覆盖于该基底层之上;
形成第一感光型聚合物层覆盖于该导电层之上;并执行一第一图案化程序,将一针锥圆孔图案穿透所述第一感光型聚合物层显示于一部分裸露的所述导电层之上,并执行一第一电铸制程,将该针锥圆孔图案电铸于该部分裸露的所述导电层上以形成针锥部分;该第一感光型聚合物层及该针锥部分形成针锥分离层;
形成一第二感光型聚合物层覆盖于该针锥分离层之上,并执行一第二图案化程序,将一针柱圆孔图案穿透所述第二感光型聚合物层显示于所述针锥部分之上,并执行一第二电铸制程,将该针柱圆孔图案电铸于所述针锥之上以形成第一针柱部分;该第二感光型聚合物层及该第一针柱部分形成针柱分离层;
该基底层、该导电层、该针锥分离层及该针柱分离层形成基础层;
分别形成第一基础层、第二基础层和第三基础层;
S2:形成一第三感光型聚合物层覆盖于第一基础层的针柱分离层之上,并执行一第三图案化程序,将所述针柱圆孔图案穿透所述第三感光型聚合物层显示于所述第一基础层的第一针柱部分之上;并执行一第三电铸制程,将该针柱圆孔图案电铸于所述第一基础层的第一针柱部分之上以形成第二针柱部分;该第三感光型聚合物层及该第二针柱部分形成针柱层;
形成一第一金属层覆盖于针柱层之上,执行一第四图案化程序于该第一金属层之上以形成一讯号线路图案,并执行一第一电镀制程,将该讯号线路图案镀上导电物质以形成一讯号线路层;
该第一基础层的针锥部分和第一针柱部分、该针柱层及该讯号线路层形成讯号线路介质软板;
S3:形成一第二金属层覆盖于第二基础层的针柱分离层之上,执行一第五图案化程序于该第二金属层之上以形成一桥接线路图案,并执行一第二电镀制程,将该桥接线路图案镀上导电物质以形成一桥接线路层;
该第二基础层的针锥部分和第一针柱部分、该桥接线路层形成桥接线路介质软板;将桥接线路介质软板与第二基础层的基底层分离;
S4:形成一第三金属层覆盖于第三基础层的针柱分离层之上,执行一第六图案化程序于该第三金属层之上以形成一接地线路图案,并执行一第三电镀制程,将该接地线路图案镀上导电物质以形成一接地线路层;
形成第四感光型聚合物层覆盖于接地线路层之上,并执行一第七图案化程序,将背面针柱圆孔图案穿透所述第四感光型聚合物层显示于部分所述第三基础层的第一针柱之上;并执行一第四电铸制程,将该背面针柱圆孔图案电铸于部分所述第三基础层的第一针柱之上以形成第三针柱部分;该第四感光型聚合物层及该第三针柱部分形成背面针柱层;
形成第五感光型聚合物层覆盖于背面针柱层之上,并执行一第八图案化程序,将背面针柱圆孔图案穿透所述第五感光型聚合物层显示于第三针柱部分之上;并执行一第五电铸制程,将该背面针柱圆孔图案电铸于第三针柱部分之上以形成第四针柱部分;该第五感光型聚合物层及该第四针柱部分形成背面针柱分离层;
该第三基础层的针锥部分和第一针柱部分、该接地线路层、该背面针柱层及背面针柱分离层形成接地线路介质软板;将接地线路介质软板与第三基础层的基底层分离;
S5:依次将桥接线路介质软板、接地线路介质软板对位压合于讯号线路介质软板之上;执行一分离程序,将背面针柱分离层分离,将第一基础层中基底层分离。
2.根据权利要求1所述的一种讯号量测介质软板的制作方法,其特征在于,步骤S1中,在第一感光型聚合物层执行一第一图案化程序,更包括一低温加热步骤。
3.根据权利要求1所述的一种讯号量测介质软板的制作方法,其特征在于,步骤S1中,所述第一图案化程序包括:
形成一感光层于第一感光型聚合物层之上;
进行一照光程序以形成第一反应图案;以及
进行一显影去除程序,将第一感光型聚合物层部分显影去除至去除部分下方的导电层裸露以形成针锥圆孔图案。
4.根据权利要求1所述的一种讯号量测介质软板的制作方法,其特征在于,步骤S1中,所述第一电铸制程在部分裸露的所述导电层之上电铸针锥部分高度与第一感光型聚合物层高度相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉迈斯卡德微电子科技有限公司,未经武汉迈斯卡德微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910170274.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种波峰焊置具
- 下一篇:一种小型化微波组件气密结构