[发明专利]一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤

权利要求书

1.一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层为三层，由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层，所述第一芯层的相对折射率差Δ1为-0.7％～-0.2％，半径R1为3.5μm～7μm，所述第二芯层的相对折射率差Δ2为0.0％～0.5％，半径R2为5.5μm～9μm，所述第三芯层的相对折射率差Δ3为-0.6％～0.1％，半径R3为7.5μm～11.5μm，且Δ2＞Δ3＞Δ1，3μm≤R3-R1≤6μm，芯层外包覆有包层，所述的包层由一层下陷包层构成，或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成，所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层，其相对折射率差Δ4为-0.9％～-0.6％，半径R4为38μm～62.5μm。

2.按权利要求1所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述的下陷包层相对折射率差Δ4小于第一芯层的相对折射率差Δ1，即Δ4＜Δ1，且Δ2-Δ4≥0.8％。

3.按权利要求1或2所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述的包层为下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层，第一包层的半径R4为38μm～60μm，第二包层的半径R5为62.5um。

4.按权利要求1或2所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述的芯层呈阶跃型。

5.按权利要求1或2所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处支持稳定的三个阶数的OAM传输模式。

6.按权利要求5所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处支持的高阶OAM模式之间的有效折射率差大于或等于1.8*10^-3。

7.按权利要求5所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述光纤在相同阶数所包含的所有简并模之间的有效折射率的差值均小于或等于2.3*10^-5。

8.按权利要求1或2所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述光纤所支持的OAM模式在1550nm波长处的衰减系数均小于或等于0.25dB/km。

9.按权利要求6所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述高阶OAM模式在1550nm波长处光纤的有效面积大于或等于150μm²。