[发明专利]离子注入装置及测量装置

说明书

本发明可高速获取离子束的二维角度信息。本发明的离子注入装置具备：第1角度测量仪(51)，测量离子束的第1方向的角度信息；第2角度测量仪(52)，测量离子束的第2方向的角度信息；相对移动机构，向规定的相对移动方向改变第1角度测量仪(51)及第2角度测量仪(52)相对于离子束的相对位置；及控制装置，根据通过第1角度测量仪(51)测量的第1方向的角度信息及通过第2角度测量仪(52)测量的第2方向的角度信息，计算与射束行进方向及相对移动方向均正交的第3方向的角度信息。

技术领域

本申请主张基于2018年3月26日申请的日本专利申请第2018-057573号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置及测量装置。

背景技术

半导体制造工序中，出于改变半导体的导电性的目的、改变半导体的晶体结构的目的等，标准性地实施向半导体晶圆注入离子的工序(也称为离子注入工序)。已知根据照射于晶圆的离子束的角度，离子束与晶圆的相互作用的方式发生变化，并影响离子注入的处理结果，因此在离子注入前测量离子束的角度分布。例如，利用沿狭缝宽度方向排列的多个电极来测量通过狭缝的射束的电流值，由此能够获得狭缝宽度方向的角度分布(例如，参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开2016-4614号公报

为了准确掌握离子束的角度信息，不仅获得射束截面内的特定位置的角度分布，还优选获得射束捆束整体的角度分布。然而，为了测量射束捆束整体的角度分布，需要一边使狭缝沿横切射束的方向移动一边在射束截面内的多个位置测量角度，因此至测量结束为止需要时间。为了获得二维角度信息，例如需要一边使狭缝分别向水平方向和垂直方向这两个方向移动一边测量角度信息，因此耗费更多的测量时间。为了提高半导体制造工序的吞吐量，优选能够在更短的时间内获取射束的角度分布。

发明内容

本发明的一方式的例示性目的之一为，提供一种高速获取离子束的二维角度信息的技术。

本发明的一方式的离子注入装置具备：束线装置，输送照射于晶圆的离子束；第1角度测量仪，测量离子束的角度信息中与射束行进方向正交的第1方向的角度信息；第2角度测量仪，测量离子束的角度信息中与射束行进方向正交并且与第1方向交叉的第2方向的角度信息；相对移动机构，向与射束行进方向正交并且与第1方向及第2方向均不正交的规定的相对移动方向改变第1角度测量仪及第2角度测量仪相对于离子束的相对位置；及控制装置，根据一边改变相对于离子束的相对位置一边通过第1角度测量仪测量的第1方向的角度信息及一边改变相对于离子束的相对位置一边通过第2角度测量仪测量的第2方向的角度信息，计算与射束行进方向及相对移动方向均正交的第3方向的角度信息。

本发明的其他方式为测量离子束的角度信息的测量装置。该装置具备：第1角度测量仪，测量离子束的角度信息中与射束行进方向正交的第1方向的角度信息；第2角度测量仪，测量离子束的角度信息中与射束行进方向正交并且与第1方向交叉的第2方向的角度信息；及控制装置，根据一边向与射束行进方向正交并且与第1方向及第2方向均不正交的相对移动方向改变第1角度测量仪相对于离子束的规定的相对位置一边通过第1角度测量仪测量的第1方向的角度信息及一边向相对移动方向改变第2角度测量仪相对于离子束的相对位置一边通过第2角度测量仪测量的第2方向的角度信息，计算与射束行进方向及相对移动方向均正交的第3方向的角度信息。

另外，在方法、装置、系统等之间相互置换以上的构成要件的任意组合、本发明的构成要件和表现的形式，作为本发明的方式也有效。

发明效果

根据本发明，能够高速获取离子束的二维角度信息。

附图说明

图1是概略地表示实施方式的离子注入装置的顶视图。

图2是详细地表示基板传送处理单元的结构的侧视图。