[发明专利]形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成氧化物层的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si-H₁键、Si-H₂键和Si-H₃键中，Si-H₂键的比例为约40％至约90％；

在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和

在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si-H₁键、Si-H₂键和Si-H₃键中，Si-H₃键的比例为约0.01％至约10％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷材料的重均分子量为约4,000至约200,000。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷材料的重均分子量为约5,000至约25,000。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述氧化物层中基本上不存在Si-H键。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述氧化物层进行的傅里叶变换红外(FT-IR)分析中未检测到对应于Si-H键的峰。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一退火过程和所述第二退火过程中的每个独立地在约500℃至约700℃的温度进行。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一退火过程和所述第二退火过程中的每个独立地在约600℃至约700℃的温度进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一退火过程和所述第二退火过程中的每个独立地进行约20分钟至约90分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二退火过程在包含O₂、H₂O、H₂O₂和O₃中的至少一种的气氛中进行。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成第一材料层包括旋涂所述聚硅氧烷材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷材料基本上不含除了硅(Si)、氧(O)和氢(H)以外的元素。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一退火过程在所述第二退火过程之前进行。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第一退火过程之后直接进行所述第二退火过程。

15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽限定有源区；

在所述沟槽中形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中所述聚硅氧烷材料的重均分子量为约5,000至约25,000；

在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；

在氧化性气氛中对已经进行过第一退火过程的第一材料层进行第二退火过程；和

在所述有源区中形成存储器件。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si-H₁键、Si-H₂键和Si-H₃键中，Si-H₂键的比例为约40％至约90％。