[发明专利]一种应用于三维存储器的稳压器电路及三维存储器有效
申请号: | 201910171624.2 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109658957B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 杜含笑;刘飞;王颀;霍宗亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 三维 存储器 稳压器 电路 | ||
1.一种应用于三维存储器的稳压器电路,其特征在于,包括:放大模块、第一晶体管、第一电容和反馈分压模块;其中,
所述放大模块包括电流镜单元、隔离单元和电流产生及差分处理单元;
所述电流产生及差分处理单元包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和第四连接端;所述隔离单元包括第五连接端、第六连接端、第七连接端和第八连接端;所述电流镜单元包括第九连接端、第十连接端和第十一连接端;所述第十一连接端用于接收工作电压;
所述第一连接端与所述第五连接端连接,所述第二连接端与所述第六连接端连接,所述第七连接端与所述第九连接端连接,所述第八连接端与所述第十连接端连接;所述第十一连接与所述第一晶体管的源极连接;
所述第一电容的一端接于所述第二连接端和第六连接端的连接节点;所述第一晶体管的栅极接于所述第八连接端与所述第十连接端的连接节点;所述第一晶体管的漏极与所述第一电容远离所述放大模块的一端连接;
所述反馈分压模块的第一输入端与所述第一晶体管的漏极连接,所述反馈分压模块的输出端与所述第三连接端连接,所述反馈分压模块的接地端与所述第四连接端连接;
所述电流产生及差分处理单元用于产生第一电流和第二电流,并对所述第一电流和第二电流分别进行差分处理后,通过所述第一连接端和第二连接端向所述隔离单元传输;所述第一电流和第二电流经过所述隔离单元后分别通过第九连接端和第十连接端向所述电流镜单元传输,经过所述电流镜单元处理后在所述第十连接端形成差分放大电压;所述差分放大电压经过所述第一晶体管放大后形成输出电压;
所述隔离单元用于隔离所述第一晶体管的栅极与所述第一电容的连接;
所述反馈分压模块用于通过所述第一输入端接收所述输出电压,并进行分压后产生反馈电压通过所述输出端向所述第三连接端传输;
所述隔离单元包括:第二晶体管和第三晶体管;
所述第二晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接,所述第二晶体管的源极作为所述第五连接端,所述第二晶体管的漏极作为所述第七连接端;
所述第三晶体管的源极作为所述第六连接端,所述第三晶体管的漏极作为所述第八连接端;
所述第二晶体管和第三晶体管均为N型场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的应用于三维存储器的稳压器电路,其特征在于,所述电流产生及差分处理单元包括第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管;
所述第四晶体管的栅极用于接收第一参考电压,所述第四晶体管的源极接地作为所述第四连接端,所述第四晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极和第六晶体管的源极均连接,所述第四晶体管用于根据所述第一参考电压产生第一电流和第二电流;
所述第五晶体管的漏极作为所述第一连接端,所述第五晶体管的栅极作为所述第三连接端;
所述第六晶体管的漏极作为所述第二连接端,所述第六晶体管的栅极用于接收第二参考电压,所述第五晶体管和第六晶体管用于对所述第一电流和第二电流进行差分处理;
所述第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管均为N型场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的应用于三维存储器的稳压器电路,其特征在于,所述电流镜单元包括第七晶体管和第八晶体管;
所述第七晶体管的栅极与所述第八晶体管的栅极以及所述第七晶体管的漏极均连接,作为所述第九连接端;
所述第七晶体管的源极与所述第八晶体管的源极连接作为所述第十一连接端,所述第八晶体管的漏极作为所述第十连接端;
所述第七晶体管和第八晶体管均为P型场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的应用于三维存储器的稳压器电路,其特征在于,所述反馈分压模块包括第一电阻和第二电阻;
所述第一电阻的一端作为所述接地端,所述第一电阻远离所述接地端一端与所述第二电阻连接作为所述输出端;所述第二电阻远离所述输出端一侧作为所述第一输入端。
5.根据权利要求4所述的应用于三维存储器的稳压器电路,其特征在于,还包括:第二电容;
所述第二电容的一端与所述第一晶体管的漏极连接,所述第二电容远离所述第一晶体管一端与所述第一电阻和第二电阻的连接节点连接。
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