[发明专利]一种磁控溅射镀膜设备及镀膜方法

说明书

本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备及镀膜方法，该设备包括一真空腔体，所述真空腔体内设置有环形工件架，溅射靶和金属挡板，所述溅射靶设置于所述环形工件架和所述真空腔体的内壁之间，所述金属挡板至少部分设置于所述环形工件架内侧，所述溅镀靶的投影与所述金属挡板的投影重叠。本发明的磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法能够很好的消除了远端低能级沉积，从而使得膜的沉积均匀性更高，色差大幅减小。

技术领域

本发明涉及一种磁控溅射镀膜设备及镀膜方法。

背景技术

现有的磁控溅射镀膜设备中，靠近溅射靶近端处的待镀膜工件区域为溅射靶的“正常镀膜区”，其属于工件正常的镀膜区域，而位于该溅射靶最远端处的待镀膜工件区域则产生了低能级沉积，从而形成“异常镀膜区”，低能级沉积会导致膜层结构变异，产生夹层结构，不利于功能性膜层的正常性能发挥。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种磁控溅射镀膜设备及镀膜方法。

本发明通过以下技术方案来实现：一种磁控溅射镀膜设备，包括一真空腔体，所述真空腔体内设置有环形工件架，溅射靶和金属挡板，所述溅射靶设置于所述环形工件架和所述真空腔体的内壁之间，所述金属挡板至少部分设置于所述环形工件架内侧，所述溅镀靶的投影与所述金属挡板的投影重叠。

优选的，所述环形工件架上设置有若干工件，所述环形工件架为自转和公转结构。

优选的，所述金属挡板靠近所述溅镀靶位置设置。

优选的，所述溅射靶为一对中频磁控溅射靶或直流磁控溅射靶。

优选的，所述溅射靶为柱状溅射靶。

优选的，所述金属挡板与所述溅镀靶正对设置。

本发明还提供了一种镀膜方法，使用所述的磁控溅射镀膜设备镀膜，步骤如下：对工件进行清洗，然后将其安装在环形工件架上；将真空腔体进行抽真空处理，直至所述真空腔体的本底真空度为0.001Pa～0.01Pa；通入惰性气体，调整所述真空腔体的真空度至0.1Pa～1Pa，同时，将溅射功率调整为大于等于20kw，从而使溅射靶对工件进行溅镀。

优选的，所述惰性气体为氩气。

本发明的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法能够很好的消除了远端低能级沉积，从而使得膜的沉积均匀性更高，色差大幅减小。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1是发明磁控溅射镀膜设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。